时间：2025/8/28 17:38:42
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IPP80R1K4P7是一款由英飞凌（Infineon）生产的高性能功率MOSFET晶体管，属于OptiMOS?系列。该器件设计用于高效率、高频率的电源转换应用，例如在DC-DC转换器、服务器电源、电信电源系统和电池充电器中广泛使用。这款MOSFET具有较低的导通电阻（Rds(on)）和开关损耗，能够显著提高系统能效并减少热量产生。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（Id）：60A
漏源极击穿电压（Vds）：80V
栅源极电压（Vgs）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：1.4mΩ（典型值）
功率耗散（Ptot）：160W
工作温度范围：-55°C至175°C
IPP80R1K4P7采用了英飞凌先进的沟槽技术，实现了极低的导通电阻，从而降低了导通损耗。该器件的封装形式通常为PG-HSOF-8，具备良好的热管理和高功率密度，适合紧凑型设计。
其主要特点包括高雪崩耐量、低门极电荷（Qg）以减少开关损耗，以及优异的热稳定性，使其能够在高温环境下稳定运行。此外，该MOSFET还具备良好的短路耐受能力，增强了系统在异常工作条件下的可靠性。
由于其优化的封装设计，IPP80R1K4P7在高频开关应用中表现出色，能够有效提升电源转换效率，并减少外围散热元件的需求。这使得它在现代高效能电源系统中具有显著优势。
IPP80R1K4P7主要用于高性能电源系统中，包括服务器电源、通信设备电源、DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器以及电池管理系统等应用领域。由于其优异的电气性能和热稳定性，该器件特别适合用于要求高效率、高功率密度和高可靠性的场合。
在服务器和数据中心电源系统中，IPP80R1K4P7能够显著降低能量损耗，提高系统整体能效。此外，在电信设备中，该MOSFET可用于高效直流电源模块的设计。在工业控制和电机驱动应用中，该器件的快速开关能力和低导通电阻有助于提高响应速度和系统效率。
SiHF60N80E, IPB80R1K4P7S, FDP80N80
