时间：2025/8/6 18:14:42
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IPP80N04S4L04AKSA1 是一款由英飞凌（Infineon）生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高效率、高功率密度的应用而设计。这款MOSFET采用了先进的沟槽技术，具有极低的导通电阻和优良的热性能，能够在高电流和高温环境下稳定工作。该器件广泛应用于汽车电子、工业电源、电机驱动、电池管理系统等领域。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：40V
最大漏极电流(Id)：80A
导通电阻(Rds(on))：4.3mΩ（典型值）
栅极电荷(Qg)：120nC
最大工作温度：175°C
封装类型：PG-TO263-3（表面贴装）
IPP80N04S4L04AKSA1 MOSFET具有多项显著的技术特性，首先其极低的导通电阻（Rds(on)）确保了在高电流条件下仍能保持较低的导通损耗，从而提高系统的整体效率。
该器件采用了先进的沟槽式MOSFET结构，优化了电场分布，增强了器件的耐用性和可靠性，特别是在高温环境下仍能保持稳定工作。
此外，该MOSFET具备较高的热稳定性，能够承受较大的热应力，适用于需要长时间高负荷运行的应用场景。
IPP80N04S4L04AKSA1 还具备良好的短路耐受能力，这对于需要在瞬态过载条件下工作的系统来说至关重要。
其封装形式为PG-TO263-3，属于表面贴装封装，适用于自动化生产流程，提高了PCB布局的灵活性和散热性能。
该器件广泛应用于多种高功率和高效率需求的电子系统中，例如：电动汽车（EV）充电系统、直流-直流转换器、电机驱动器、工业电源、电池管理系统（BMS）、太阳能逆变器以及UPS（不间断电源）系统等。
在电动汽车领域，IPP80N04S4L04AKSA1 可用于车载充电器、DC-DC转换器以及电动机控制模块，其低导通电阻和高热稳定性能够有效提升能效并减少发热。
在工业电源和服务器电源系统中，该MOSFET可以用于同步整流电路，提高电源转换效率，降低功耗。
同时，由于其出色的短路保护能力和高温稳定性，该器件也被广泛应用于电机控制和工业自动化系统中，用于实现高效的电机驱动和负载开关控制。
在可再生能源系统中，如太阳能逆变器和风力发电控制系统，该MOSFET可作为功率开关元件，确保在复杂环境条件下依然具备稳定的性能。
IPP80N04S4-04, IPP80N04CN04, IPP80N04S4L04AKSA1
