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IPP77N06S212AKSA2 发布时间 时间:2025/5/9 18:16:22 查看 阅读:5

IPP77N06S212AKSA2 是一款高性能的 N 沟道功率 MOSFET,由 Infineon(英飞凌)公司生产。该器件采用 SMD 封装形式(如 DSO-8),适合于高频开关应用和高效率转换场景。其主要特点是低导通电阻(Rds(on))、高电流处理能力和出色的热性能。
  这款 MOSFET 广泛应用于电源管理、电机驱动、负载切换以及 DC-DC 转换器等领域。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:77A
  导通电阻(Rds(on)):1.9mΩ(典型值,在 Vgs=10V 时)
  栅极电荷:35nC(典型值)
  总电容:225pF(输入电容 Ciss 典型值)
  反向恢复时间:45ns(典型值)
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
  封装类型:DSO-8

特性

IPP77N06S212AKSA2 的核心优势在于其低导通电阻(Rds(on)),这显著降低了导通损耗并提升了整体效率。此外,该器件还具有以下特点:
  1. 高雪崩能量能力,确保在异常条件下的可靠性。
  2. 快速开关速度,减少开关损耗。
  3. 热增强型封装设计,优化散热性能。
  4. 符合 AEC-Q101 标准,适用于汽车级应用。
  5. 出色的 EMC 特性,降低电磁干扰的影响。
  这些特性使得 IPP77N06S212AKSA2 成为需要高效能和可靠性的应用的理想选择。

应用

IPP77N06S212AKSA2 主要应用于以下几个领域:
  1. 开关模式电源 (SMPS),包括 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
  2. 电动汽车 (EV) 和混合动力汽车 (HEV) 中的电池管理系统。
  3. 工业电机驱动和控制电路。
  4. 电信设备中的负载切换和保护电路。
  5. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统中的功率转换模块。
  由于其优异的电气特性和稳定性,这款 MOSFET 在多种高压和高频场景中表现出色。

替代型号

IPP60R029C7,IPP75R052C7,IRLB8729PBF

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IPP77N06S212AKSA2参数

  • 现有数量500现货
  • 价格1 : ¥21.15000管件
  • 系列OptiMOS?
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)55 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)77A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)12 毫欧 @ 38A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4V @ 93μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)60 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)1770 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)158W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 供应商器件封装PG-TO220-3-1
  • 封装/外壳TO-220-3