时间：2025/7/8 15:34:54
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IPP70N04S4-06是英飞凌（Infineon）推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-Leadless（TOLL）封装形式。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点，非常适合用于工业电源、电机驱动、太阳能逆变器以及DC-DC转换等应用领域。
这款MOSFET的额定电压为40V，能够满足大多数低压系统的需要。其优异的热性能和紧凑的封装设计使其成为高功率密度应用的理想选择。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：70A
导通电阻：1.3mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
栅极电荷：85nC（典型值）
总电容：2350pF（典型值）
工作结温范围：-55℃至175℃
封装形式：TO-Leadless (TOLL)
IPP70N04S4-06具备以下显著特点：
1. 极低的导通电阻，有助于降低传导损耗并提升系统效率。
2. 高电流处理能力，支持高达70A的连续漏极电流。
3. 小型化封装设计，节省PCB空间且具有良好的散热性能。
4. 快速开关特性，可减少开关损耗，适合高频应用。
5. 工作温度范围宽广，能够在恶劣环境下保持稳定运行。
6. 具备较高的雪崩能力和鲁棒性，增强了器件的可靠性。
IPP70N04S4-06适用于以下应用场景：
1. 工业电源供应器中的功率级开关。
2. 电动汽车和混合动力汽车中的电机控制器。
3. 太阳能微逆变器及优化器中的功率转换。
4. 各类DC-DC转换器和升降压模块。
5. LED驱动电路中的功率开关元件。
6. 开关模式电源（SMPS）和其他电力电子设备中的关键组件。
IPP50R055S4
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