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IPP65R310CFD 发布时间 时间:2025/5/10 19:38:47 查看 阅读:24

IPP65R310CFD是英飞凌(Infineon)公司推出的一款基于CoolMOS技术的N沟道功率MOSFET。该器件采用了先进的TRENCH STOP V技术,具有极低的导通电阻和快速开关性能,适合于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等高效能应用。其封装形式为TO-Leadless(TOLL),具备良好的热性能和紧凑的尺寸,便于高密度设计。

参数

最大漏源电压:650V
  导通电阻(典型值):310mΩ
  连续漏极电流:8.4A
  栅极电荷:17nC
  反向恢复时间:10ns
  工作温度范围:-55℃至175℃
  封装形式:TO-Leadless(TOLL)

特性

IPP65R310CFD的核心特点是其低导通电阻和高效率。CoolMOS技术显著降低了MOSFET的导通损耗和开关损耗,从而提高了整体系统效率。
  该器件还具备出色的热稳定性,在高温环境下也能保持稳定的性能。
  TOLL封装进一步增强了散热能力,并减少了寄生电感的影响,使得IPP65R310CFD非常适合高频开关应用。
  此外,IPP65R310CFD的高雪崩能力和鲁棒性使其在恶劣的工作条件下依然可靠。

应用

IPP65R310CFD广泛应用于消费电子和工业领域中的各种高效能场景。
  主要应用包括:
  1. 开关电源(SMPS)
  2. DC-DC转换器
  3. 电机驱动和控制
  4. 适配器和充电器
  5. 工业逆变器和不间断电源(UPS)
  由于其高效的开关特性和耐用性,该器件也适用于要求苛刻的汽车级和工业级应用。

替代型号

IPP65R320CP, IPP65R350CP

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IPP65R310CFD参数

  • 数据列表IPB65R310CFD
  • 标准包装500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列CoolMOS™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)650V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C11.4A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C310 毫欧 @ 4.4A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4.5V @ 440µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs41nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1100pF @ 100V
  • 功率 - 最大104.2W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装PG-TO220-3
  • 包装管件
  • 其它名称IPP65R310CFDXKSA1SP000745028