时间：2025/6/5 21:47:40
阅读：29
IPP65R190CFD是英飞凌（Infineon）推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TOLL封装。该器件主要面向工业和汽车应用领域，适用于高效能开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及可再生能源系统等场景。其优化的导通电阻和栅极电荷特性使得IPP65R190CFD在高频开关应用中表现出色，同时具备良好的热性能和可靠性。
类型：N沟道 MOSFET
最大漏源电压VDS：650 V
最大连续漏极电流ID：74 A
导通电阻RDS(on)：190 mΩ（典型值，25°C下）
栅极电荷Qg：35 nC（典型值）
总栅极电荷Qgt：55 nC（典型值）
开关速度：快速恢复
工作结温范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TOLL
IPP65R190CFD具有出色的电气特性和可靠性，能够满足高功率密度和高效能设计需求。
1. 高耐压能力：额定漏源电压为650V，适合高压应用场景，如工业电源和电动车充电系统。
2. 低导通损耗：在标准条件下，导通电阻仅为190mΩ，从而降低传导过程中的能量损失。
3. 快速开关性能：较低的栅极电荷（35nC），有助于减少开关损耗并提升工作效率。
4. 热增强封装：TOLL封装提供卓越的散热性能，支持更高的功率处理能力和更小的设计体积。
5. 良好的鲁棒性：能够在极端温度范围内稳定运行，适应恶劣的工作环境。
IPP65R190CFD适用于多种高效率电力电子设备：
1. 开关模式电源（SMPS）
2. DC-DC转换器
3. 太阳能逆变器
4. 电动汽车充电站
5. 工业电机驱动
6. 不间断电源（UPS）
7. LED照明驱动电路
由于其高性能和可靠性，这款MOSFET特别适合需要频繁开关操作或高负载的应用场合。
IPP65R172C_E1_T0
