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IPP65R190CFD 发布时间 时间:2025/6/5 21:47:40 查看 阅读:9

IPP65R190CFD是英飞凌(Infineon)推出的一款N沟道功率MOSFET,采用TOLL封装。该器件主要面向工业和汽车应用领域,适用于高效能开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及可再生能源系统等场景。其优化的导通电阻和栅极电荷特性使得IPP65R190CFD在高频开关应用中表现出色,同时具备良好的热性能和可靠性。

参数

类型:N沟道 MOSFET
  最大漏源电压VDS:650 V
  最大连续漏极电流ID:74 A
  导通电阻RDS(on):190 mΩ(典型值,25°C下)
  栅极电荷Qg:35 nC(典型值)
  总栅极电荷Qgt:55 nC(典型值)
  开关速度:快速恢复
  工作结温范围:-55°C 至 +175°C
  封装形式:TOLL

特性

IPP65R190CFD具有出色的电气特性和可靠性,能够满足高功率密度和高效能设计需求。
  1. 高耐压能力:额定漏源电压为650V,适合高压应用场景,如工业电源和电动车充电系统。
  2. 低导通损耗:在标准条件下,导通电阻仅为190mΩ,从而降低传导过程中的能量损失。
  3. 快速开关性能:较低的栅极电荷(35nC),有助于减少开关损耗并提升工作效率。
  4. 热增强封装:TOLL封装提供卓越的散热性能,支持更高的功率处理能力和更小的设计体积。
  5. 良好的鲁棒性:能够在极端温度范围内稳定运行,适应恶劣的工作环境。

应用

IPP65R190CFD适用于多种高效率电力电子设备:
  1. 开关模式电源(SMPS)
  2. DC-DC转换器
  3. 太阳能逆变器
  4. 电动汽车充电站
  5. 工业电机驱动
  6. 不间断电源(UPS)
  7. LED照明驱动电路
  由于其高性能和可靠性,这款MOSFET特别适合需要频繁开关操作或高负载的应用场合。

替代型号

IPP65R172C_E1_T0

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IPP65R190CFD参数

  • 数据列表IPx65R190CFD
  • 标准包装500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列CoolMOS™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)650V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C17.5A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C190 毫欧 @ 7.3A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4.5V @ 730µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs68nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1850pF @ 100V
  • 功率 - 最大151W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装PG-TO220-3
  • 包装管件
  • 其它名称IPP65R190CFDXKSA1SP000881160