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IPP65R110CFD 发布时间 时间:2025/4/30 9:13:08 查看 阅读:19

IPP65R110CFD是英飞凌(Infineon)推出的MOSFET功率晶体管,采用TRENCHSTOP? IGBT技术制造。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特性,适合用于开关电源、电机驱动器、DC-DC转换器以及其他需要高效能功率转换的应用场景。其额定电压为650V,导通电阻为110mΩ,能够有效减少功率损耗并提高系统的整体效率。
  IPP65R110CFD采用了TO-247封装形式,这种封装有助于良好的散热性能,并且易于集成到各种功率电路中。

参数

额定电压:650V
  导通电阻:110mΩ
  最大电流:30A
  栅极电荷:89nC
  输入电容:1320pF
  总功耗:215W
  工作温度范围:-55℃至175℃

特性

IPP65R110CFD具备高效率和可靠性,主要特点包括:
  1. 超低导通电阻,降低导通损耗。
  2. 高速开关能力,减小开关损耗。
  3. TO-247封装提供出色的热管理能力。
  4. 极低的栅极电荷和输出电荷,提升系统动态性能。
  5. 支持高频开关操作,适用于更紧凑的电路设计。
  6. 宽广的工作温度范围确保在恶劣环境下也能稳定运行。

应用

IPP65R110CFD广泛应用于多种电力电子领域,包括但不限于:
  1. 开关模式电源(SMPS)
  2. 不间断电源(UPS)
  3. 太阳能逆变器
  4. 电机驱动与控制
  5. DC-DC转换器
  6. 工业自动化设备中的功率模块
  由于其优异的性能和稳定性,该器件特别适合对能耗和效率有较高要求的场合。

替代型号

IPP60R140CP
  IPP65R130CP
  IPP65R145CP

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IPP65R110CFD参数

  • 数据列表IPx65R110CFD
  • 标准包装500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列CoolMOS™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)700V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C31.2A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C110 毫欧 @ 12.7A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4.5V @ 1.3mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs118nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds3240pF @ 100V
  • 功率 - 最大277.8W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装PG-TO220-3
  • 包装管件
  • 其它名称IPP65R110CFDXKSA1SP000895226