IPP60R080P7 时间：2025/4/28 17:58:43 阅读：3

IPP60R080P7是由Infineon（英飞凌）推出的一款MOSFET功率晶体管，采用P沟道技术。该器件主要应用于开关电源、DC-DC转换器、负载开关等电力电子领域。其设计目标是实现高效率和低损耗的电力传输，适用于工业控制、汽车电子以及消费类电子产品中的功率管理模块。
　　IPP60R080P7具有极低的导通电阻（Rds(on)），从而减少了传导损耗，提高了系统的整体效率。此外，该器件还具备快速开关特性，适合高频应用场合。

参数

型号：IPP60R080P7
　　类型：P沟道 MOSFET
　　Vds（漏源电压）：60V
　　Rds(on)（导通电阻）：80mΩ
　　Id（连续漏极电流）：32A
　　Qg（总栅极电荷）：45nC
　　EAS（雪崩能量）：1.0J
　　fsw（最大工作频率）：500kHz
　　封装形式：TO-Leadless (TOLL)
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C

特性

IPP60R080P7采用了先进的CoolMOS?技术，这种技术显著降低了MOSFET的导通电阻，同时优化了开关性能。它的低Rds(on)使得在大电流应用中能够有效减少功耗，并且其快速开关能力使其非常适合于高频DC-DC转换器以及其他类似的开关电路。
　　此外，该器件的热性能也非常优秀，能够在高温环境下保持稳定运行。其紧凑的TOLL封装形式不仅节省了PCB空间，还增强了散热效果。对于需要高可靠性和高效能的应用场景来说，IPP6R080P7是一个理想的选择。
　　IPP60R080P7还具备出色的雪崩耐量（EAS），这使其在瞬态条件或异常情况下也能提供可靠的保护功能。

应用

IPP60R080P7广泛应用于多种功率转换和管理场景中，包括但不限于以下领域：
　　1. 开关模式电源（SMPS）
　　2. 电机驱动和控制
　　3. 汽车电子系统中的负载切换
　　4. DC-DC转换器
　　5. 工业设备中的功率调节模块
　　6. 高效能电池管理系统（BMS）
　　由于其优异的电气特性和可靠性，这款MOSFET特别适合于那些对效率和热性能有较高要求的复杂电力电子系统。