时间：2025/7/11 12:14:53
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IPP35CN10N 是一款由 Infineon（英飞凌）生产的 N 沟道功率 MOSFET。该器件采用 TO-263 封装形式，适用于各种开关和功率转换应用。其设计旨在提供高效率和低导通电阻性能，同时具备良好的热稳定性和耐用性。
这款 MOSFET 的最大特点是其较低的导通电阻（Rds(on)），这使其非常适合需要高效能的电力电子应用，如 DC-DC 转换器、电机驱动、电源管理等。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：18A
导通电阻（Rds(on)）：5.5mΩ
栅极电荷：19nC
总开关能量：70nJ
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
IPP35CN10N 提供了低导通电阻以减少传导损耗，从而提高整体系统效率。
其采用了先进的沟槽式技术，确保在高频开关条件下也具有出色的性能表现。
此外，该元件具有较高的雪崩击穿能力和 ESD 防护能力，增强了其在恶劣环境下的可靠性。
TO-263 封装不仅提供了良好的散热性能，还简化了 PCB 设计和组装过程。
由于其宽广的工作温度范围，该器件能够在极端环境下保持稳定运行。
IPP35CN10N 广泛应用于各类工业和消费类电子产品中，包括但不限于以下领域：
- 开关模式电源 (SMPS)
- DC-DC 转换器
- 电机驱动控制
- 电池管理系统 (BMS)
- 照明镇流器及 LED 驱动
- 工业自动化设备中的负载切换功能
这些应用都得益于 IPP35CN10N 的高效能和坚固耐用的特点。
IPP30N10N, IPP35N10N
