时间：2025/5/14 16:59:15
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IPP330P10NM 是一款高性能的 N 沟道功率 MOSFET，广泛应用于开关电源、电机驱动、负载开关以及其他需要高效能功率控制的场景中。该器件采用先进的制造工艺，在导通电阻和开关性能方面表现优异，同时具有较低的栅极电荷，适合高频应用。
IPP330P10NM 的封装形式通常为 DPAK（TO-252），这使得它能够承受较高的电流负载，并具备良好的散热性能。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：33A
导通电阻（典型值）：1.4mΩ
栅极电荷：29nC
总电容（输入电容）：1080pF
最大功耗：147W
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
IPP330P10NM 具有低导通电阻，从而减少了传导损耗，提高了整体效率。
该器件的快速开关性能得益于其优化的栅极电荷设计，能够显著降低开关损耗。
其高雪崩能力确保了在异常条件下的可靠运行。
此外，DPAK 封装增强了散热能力，使其能够在严苛的工作环境下保持稳定性能。
适用于高电流密度的应用场合，同时保证了系统的紧凑性和高效性。
IPP330P10NM 主要应用于直流电机驱动电路中，用于实现高效的功率控制。
在消费类电子设备中的负载开关功能也十分常见。
此外，该器件还可用于 DC/DC 转换器以及各类开关电源模块中，提供快速、稳定的电流切换能力。
工业领域中，该 MOSFET 常被用作逆变器或变频器的关键组件，以满足大功率需求。
由于其出色的热性能，IPP330P10NM 还非常适合汽车电子系统中的功率管理单元。
IPB330P10N
IPP330P10NL
IRF3205
