时间：2025/5/23 9:49:01
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IPP180N10N3是由Infineon（英飞凌）生产的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-247封装形式。该器件专为高频开关应用设计，具有较低的导通电阻和快速开关性能，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及工业逆变器等场景。
这款MOSFET的主要特点是其优化的动态性能和高能效表现，能够显著降低功率损耗并提升系统的整体效率。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：180A
导通电阻（典型值）：1.6mΩ
栅极电荷（典型值）：95nC
反向恢复时间：不适用（无内置二极管）
工作结温范围：-55℃ to 175℃
IPP180N10N3采用了先进的TRENCHSTOP技术，具备以下特点：
1. 极低的导通电阻，在大电流应用中可有效减少功率损耗。
2. 高速开关能力，适合高频操作环境。
3. 出色的热稳定性和可靠性，能够在极端温度条件下保持高性能。
4. 内部设计针对EMI进行了优化，减少了对周边电路的干扰。
5. 提供强大的雪崩能量吸收能力，增强了在过载情况下的耐用性。
6. 符合RoHS标准，环保且支持无铅焊接工艺。
IPP180N10N3适用于多种高功率密度应用场景，包括但不限于：
1. 开关模式电源（SMPS）中的主开关元件。
2. 工业电机驱动中的功率级控制。
3. 太阳能逆变器和不间断电源（UPS）系统。
4. 电动汽车（EV）充电站的功率转换模块。
5. DC-DC转换器和PFC（功率因数校正）电路中的关键组件。
IPP180N10S3,
IPP180N10N4G
