时间：2025/4/28 10:05:46
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IPP180N10N3 G是英飞凌（Infineon）推出的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-247封装，适用于高功率密度和高效能的应用场景。其设计主要针对开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及可再生能源系统等应用。该器件具有低导通电阻和快速开关特性，能够有效降低功耗并提高整体效率。
该型号属于OptiMOS系列，这一系列的MOSFET以其卓越的性能和可靠性著称，广泛应用于工业和汽车领域。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：180A
导通电阻（典型值）：1.6mΩ
栅极电荷：195nC
输入电容：4760pF
总热阻（结到环境）：0.22°C/W
工作温度范围：-55°C至175°C
IPP180N10N3 G的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻，有助于减少传导损耗。
2. 快速开关速度，适合高频应用，降低开关损耗。
3. 高雪崩能力，提高了系统的可靠性和耐用性。
4. 热稳定性强，能够在高温环境下保持稳定的性能。
5. 符合RoHS标准，环保且易于集成到现代电子设计中。
6. 封装形式坚固，适合高功率密度应用。
该器件适用于多种电力电子应用，具体包括：
1. 开关电源（SMPS），用于高效能量转换。
2. 工业电机驱动，支持精确的速度和扭矩控制。
3. 新能源系统，如太阳能逆变器和风力发电机中的功率调节。
4. 电动汽车（EV）和混合动力汽车（HEV）中的电池管理系统和驱动系统。
5. DC-DC转换器，用于电信设备和服务器电源中的电压调节。
6. 其他高电流、高电压的电力电子应用。
IPP180N10S3G, IPP150N10S3G, IPP120N10S3G
