时间：2025/6/17 8:29:22
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IPP129N10NF2英飞凌）生产的 N 沟道功率 MOSFET。该器件采用 TRENCHSTOP? 技术制造，具有低导通电阻和高开关性能的特点，适用于多种功率转换应用。其封装形式为 TO-Leadless（TOLL），有助于提升散热性能并减少寄生电感。
这款 MOSFET 非常适合用于工业及汽车领域中的高频 DC-DC 转换器、同步整流电路以及负载开关等场景。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：129A
导通电阻（典型值）：1.4mΩ
栅极电荷（典型值）：75nC
输入电容：4380pF
总功耗：225W
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-Leadless（TOLL）
IPP129N10NF2S 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，能够有效降低导通损耗，提高系统效率。
2. 高效的开关性能，得益于较低的栅极电荷 (Qg)，使得器件在高频应用中表现优异。
3. 内置反向二极管，支持续流功能，简化设计复杂度。
4. 符合 AEC-Q101 标准，具备出色的可靠性和稳定性，适用于严苛环境。
5. 支持高达 175°C 的结温操作，确保在高温条件下依然保持良好的性能。
6. 封装采用无引脚设计，优化了 PCB 布局并增强了热传导能力。
这些特性共同使得 IPP129N10NF2S 成为高效功率转换的理想选择。
IPP129N10NF2S 主要应用于以下领域：
1. 工业电源：如 AC-DC 和 DC-DC 转换器中的主开关或同步整流元件。
2. 电机驱动：提供高效的功率控制，满足高性能电机驱动需求。
3. 电动汽车（EV）和混合动力汽车（HEV）：用于车载充电器（OBC）、DC-DC 转换器以及牵引逆变器。
4. 太阳能逆变器：助力光伏系统实现更高的能量转换效率。
5. 通信电源：适用于基站电源模块和其他通信设备中的功率管理部分。
6. 一般负载开关和保护电路：凭借其低导通电阻和高电流承载能力，成为此类应用的理想解决方案。
IPP120N10NF2S, IPP129N10N3_G
