时间：2025/4/28 14:44:57
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IPP111N15N3 G 是一款由 Infineon（英飞凌）推出的 N 沟道功率 MOSFET。该器件采用 TO-252 (DPAK) 封装形式，广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动以及各种功率转换电路中。其低导通电阻和高效率的特性使得 IPP111N15N3 G 成为众多设计中的理想选择。
这款 MOSFET 的耐压能力高达 150V，能够满足大多数工业应用的需求，并且具有快速开关特性和较低的栅极电荷，有助于减少开关损耗。
最大漏源电压：150V
连续漏极电流：11.1A
导通电阻（典型值）：14mΩ
栅极电荷（典型值）：9nC
总电容（输入电容）：750pF
功耗：16W
封装：TO-252 (DPAK)
IPP111N15N3 G 具有以下主要特性：
1. 高击穿电压：可以承受最高 150V 的漏源电压，适合用于高压环境下的功率管理。
2. 低导通电阻：典型值为 14mΩ，在高电流应用中能够显著降低传导损耗。
3. 快速开关速度：较小的栅极电荷和输出电容确保了更快的开关速度，从而降低了开关损耗。
4. 热稳定性：采用 TO-252 封装，具备良好的散热性能。
5. 可靠性：经过严格测试，能够在恶劣环境下长期稳定工作。
6. 符合 RoHS 标准：环保且满足国际法规要求。
IPP111N15N3 G 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC 转换器
3. 电机驱动电路
4. 电池保护系统
5. 工业自动化设备中的功率控制
6. LED 驱动电路
7. 各种消费类电子产品的功率管理模块
IPP110N15N3 G, IPP115N15N3 G
