时间：2025/6/24 3:33:09
阅读：9
IPP096N03LG 是一款由 Infineon（英飞凌）生产的 N 沣道晶体管（MOSFET）。该器件采用 Trench 技术制造，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适合用于各种高效能电源管理应用。其封装形式为 TO-252 (DPAK)，能够承受较高的电流和电压，同时提供卓越的热性能。
IPP096N03LG 的额定电压为 30V，使其非常适合在低压系统中使用，例如 DC-DC 转换器、电机驱动和负载开关等应用。
最大漏源电压：30V
最大漏极电流：96A
导通电阻：1.4mΩ
栅极电荷：37nC
开关速度：快速
封装：TO-252 (DPAK)
工作温度范围：-55°C 至 175°C
IPP096N03LG 具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，有助于降低传导损耗并提高效率。
2. 快速的开关特性，适合高频应用。
3. 高雪崩能力，增强器件在异常条件下的鲁棒性。
4. 小型化的 DPAK 封装设计，节省 PCB 空间。
5. 广泛的工作温度范围 (-55°C 至 +175°C)，适用于恶劣环境中的应用。
6. 符合 RoHS 标准，绿色环保。
IPP096N03LG 可广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 中的功率开关。
2. DC-DC 转换器，包括降压和升压拓扑。
3. 各种类型的电机驱动电路。
4. 电池管理系统 (BMS) 中的负载开关。
5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
6. 汽车电子系统中的功率管理部分。
IPP075N03L_G, IPP080N03LG, IPP100N03L_G
