时间：2025/6/9 16:21:36
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IPP075N15N3 G 是一款由 Infineon（英飞凌）生产的 N 沟道功率 MOSFET。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术制造，具有低导通电阻和高开关速度的特性，适用于多种功率转换应用。该芯片广泛应用于 DC-DC 转换器、电机驱动、电源管理以及负载开关等场景。其封装形式为 TO-252 (DPAK)，适合表面贴装工艺。
Infineon 的 IPP 系列功率 MOSFET 以其优异的电气性能和可靠性著称，IPP075N15N3 G 在其中代表了额定电压为 150V 的型号，适用于中等电压范围的应用场景。
最大漏源电压：150V
连续漏极电流：8.8A
导通电阻（典型值）：75mΩ
栅极电荷：24nC
开关时间：ton=16ns, toff=26ns
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装类型：TO-252 (DPAK)
IPP075N15N3 G 的主要特性包括低导通电阻、快速开关能力以及良好的热稳定性。具体来说：
1. 导通电阻低至 75mΩ（典型值），在高电流应用中能够显著降低功率损耗。
2. 具有快速的开关速度，栅极电荷仅为 24nC，这使得它非常适合高频开关应用。
3. 额定漏源电压为 150V，能够承受较高的瞬态电压。
4. 支持高达 175℃ 的结温，确保在恶劣环境下的可靠运行。
5. 采用 DPAK 封装，具备出色的散热性能，并且易于集成到表面贴装设计中。
6. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计。
IPP075N15N3 G 广泛应用于各种功率电子领域，常见的应用包括：
1. 开关电源 (SMPS) 中的同步整流和主开关元件。
2. DC-DC 转换器中的高频开关元件。
3. 电机驱动电路中的功率级开关。
4. 工业自动化设备中的负载开关和保护电路。
5. 电池管理系统中的功率分配开关。
6. 汽车电子系统中的辅助电源模块。
该器件因其高效率和可靠性而成为许多功率转换应用的理想选择。
IPP075N15N3L G, IPP075N15S3 G
