IPP060N06N是英飞凌(Infineon)公司生产的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-252封装形式,广泛应用于开关电源、电机驱动、负载开关以及其他需要高效功率转换的场景中。其低导通电阻和高效率的特点使其非常适合在中小功率应用中使用。
该型号中的IPP代表英飞凌的Power MOSFET系列,060表示最大漏源极电流为60A(脉冲条件下),N表示N沟道,而最后的06则代表了漏源极电压为60V。
最大漏源极电压:60V
最大栅源极电压:±20V
最大连续漏极电流:8.3A
最大脉冲漏极电流:60A
导通电阻(典型值,在Vgs=10V时):7.5mΩ
总栅极电荷(Qg):21nC
开关速度:快速
工作结温范围:-55℃至+175℃
封装形式:TO-252
IPP060N06N具有以下主要特性:
1. 极低的导通电阻,有助于降低功率损耗并提高整体效率。
2. 快速开关性能,适合高频应用环境。
3. 高雪崩能力,增强器件在异常条件下的可靠性。
4. 小型封装设计,便于电路板布局和散热管理。
5. 符合RoHS标准,环保且无铅。
这些特点使IPP060N06N成为各种电力电子应用的理想选择,尤其是那些对效率和热管理有较高要求的场景。
IPP060N06N适用于以下领域:
1. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流。
2. DC/DC转换器中的主开关或同步整流元件。
3. 电机驱动电路中的功率级开关。
4. 各类负载开关和保护电路。
5. 工业控制和消费电子设备中的功率转换模块。
由于其出色的性能和可靠性,该器件在许多现代电子系统中得到了广泛应用。
IPP060N06S, IPP060N06L