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IPP060N06N 发布时间 时间:2025/5/23 9:45:39 查看 阅读:13

IPP060N06N是英飞凌(Infineon)公司生产的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-252封装形式,广泛应用于开关电源、电机驱动、负载开关以及其他需要高效功率转换的场景中。其低导通电阻和高效率的特点使其非常适合在中小功率应用中使用。
  该型号中的IPP代表英飞凌的Power MOSFET系列,060表示最大漏源极电流为60A(脉冲条件下),N表示N沟道,而最后的06则代表了漏源极电压为60V。

参数

最大漏源极电压:60V
  最大栅源极电压:±20V
  最大连续漏极电流:8.3A
  最大脉冲漏极电流:60A
  导通电阻(典型值,在Vgs=10V时):7.5mΩ
  总栅极电荷(Qg):21nC
  开关速度:快速
  工作结温范围:-55℃至+175℃
  封装形式:TO-252

特性

IPP060N06N具有以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻,有助于降低功率损耗并提高整体效率。
  2. 快速开关性能,适合高频应用环境。
  3. 高雪崩能力,增强器件在异常条件下的可靠性。
  4. 小型封装设计,便于电路板布局和散热管理。
  5. 符合RoHS标准,环保且无铅。
  这些特点使IPP060N06N成为各种电力电子应用的理想选择,尤其是那些对效率和热管理有较高要求的场景。

应用

IPP060N06N适用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流。
  2. DC/DC转换器中的主开关或同步整流元件。
  3. 电机驱动电路中的功率级开关。
  4. 各类负载开关和保护电路。
  5. 工业控制和消费电子设备中的功率转换模块。
  由于其出色的性能和可靠性,该器件在许多现代电子系统中得到了广泛应用。

替代型号

IPP060N06S, IPP060N06L

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IPP060N06N参数

  • 制造商Infineon