时间：2025/7/11 17:19:15
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IPP05CN10NG是一款由Infineon（英飞凌）生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用TO-263封装形式，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于多种功率转换和电机驱动应用。其额定电压为60V，持续漏极电流高达10A，能够满足高效能功率管理的需求。
该MOSFET广泛用于消费电子、工业控制以及汽车电子领域，适合于需要高效率和低损耗的应用场景。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：10A
导通电阻（典型值）：7.5mΩ
栅极电荷：29nC
总功耗：48W
工作温度范围：-55℃ to +175℃
封装类型：TO-263
IPP05CN10NG具备低导通电阻，这使得它在开关过程中产生的功率损耗较小，从而提高了整体效率。
此外，其快速的开关速度减少了开关损耗，非常适合高频应用环境。
该器件还具有出色的热稳定性，能够在较宽的工作温度范围内保持性能。
另外，它的封装形式便于安装和散热，简化了系统设计过程。
由于采用了先进的制造工艺，IPP05CN10NG具备较高的可靠性和耐用性，可以承受反复的开关循环和负载突变。
IPP05CN10NG主要应用于DC-DC转换器、开关电源（SMPS）、电机驱动电路、电池保护电路、负载切换以及汽车电子系统等领域。
在消费类电子产品中，它常被用于笔记本适配器、平板电脑充电器等产品。
在工业领域，该MOSFET可用于各种自动化设备中的功率转换模块。
此外，由于其高可靠性，IPP05CN10NG也适合用于电动车窗、电动座椅等汽车内部电气系统的控制。
IPP050N10N_G, IRFZ44N, FDP5570
