时间：2025/7/10 12:12:49
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IPP048N04NG 是英飞凌（Infineon）推出的一款 N 沟道功率 MOSFET。该器件采用了先进的 TRENCHSTOP 技术，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于多种功率转换和电机驱动应用。其封装形式为 TO-252（DPAK），适合表面贴装工艺，能够满足紧凑型设计的需求。
该 MOSFET 的最大额定电压为 40V，适合用于低压大电流的应用场景。其低导通电阻特性可以显著降低功率损耗，提高系统的效率。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：48A
导通电阻（典型值）：1.3mΩ
栅极电荷（典型值）：17nC
开关频率：最高支持几百kHz
封装形式：TO-252 (DPAK)
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
IPP048N04NG 具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻，仅为 1.3mΩ（典型值），有助于减少功率损耗。
2. 高电流处理能力，连续漏极电流可达 48A。
3. 快速开关性能，栅极电荷小，可实现高效的高频操作。
4. 内置反并联二极管，具备快速恢复时间，适合同步整流和逆变器应用。
5. 符合 RoHS 标准，环保且可靠。
6. 采用 TRENCHSTOP 技术，优化了散热性能和电气特性。
IPP048N04NG 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流。
2. DC-DC 转换器，尤其是降压拓扑。
3. 电机驱动，包括无刷直流电机（BLDC）和步进电机。
4. 电池管理系统（BMS）中的负载开关。
5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
6. 电动工具和其他便携式设备的功率级。
IPP040N04N, IPP048N04LS
