时间：2025/8/20 20:45:32
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IPP045N10N 是英飞凌（Infineon）公司生产的一款N沟道功率MOSFET，属于OptiMOS?系列。该器件专为高效率、高频应用设计，广泛用于电源转换、DC-DC变换器、电机控制和负载开关等场合。该MOSFET采用先进的沟槽技术，提供较低的导通电阻和快速的开关性能。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：100V
连续漏极电流（ID）：45A
导通电阻（RDS(on)）：13.5mΩ（典型值）
栅极电荷（Qg）：38nC（典型值）
封装类型：PG-TO220-3-13
工作温度范围：-55°C 至 175°C
功耗（Ptot）：140W
漏极峰值电流（IDM）：180A
IPP045N10N 属于英飞凌OptiMOS?系列，具有以下关键特性：
? 低导通电阻：RDS(on) 仅为13.5mΩ，可降低导通损耗，提高系统效率。
? 高电流能力：连续漏极电流可达45A，适用于高功率应用。
? 快速开关特性：栅极电荷Qg为38nC，有助于减少开关损耗，适用于高频工作环境。
? 高可靠性：支持工作温度高达175°C，适合在高温环境下运行。
? 优化的热性能：采用PG-TO220-3-13封装，具有良好的散热能力，确保长时间高负载下的稳定运行。
? 宽泛的工作电压范围：支持100V漏源电压，适用于多种电源拓扑结构。
? 抗雪崩能力强：具备良好的抗过压和抗过流能力，提升系统稳定性与安全性。
IPP045N10N 广泛应用于以下领域：
? 开关电源（SMPS）
? DC-DC转换器
? 电机驱动和控制电路
? 负载开关
? 太阳能逆变器
? 电池管理系统
? 工业自动化设备
? 服务器和通信电源
IPW045N10N、IRF1405、SiR142DP、IPP055N10N
