时间：2025/7/11 12:14:06
阅读：11
IPP041N12N3是英飞凌（Infineon）公司生产的一款N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用DPAK（TO-252）封装形式，适用于各种高效能开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等应用领域。其设计注重低导通电阻和高效率，能够在高频开关条件下提供卓越的性能表现。
该MOSFET具有出色的热特性和电气特性，同时支持表面贴装技术（SMT），非常适合自动化生产流程。
最大漏源电压：120V
连续漏极电流：4.1A
导通电阻（Rds(on)）：75mΩ（在Vgs=10V时）
栅极电荷：13nC
开关速度：快速
工作结温范围：-55℃至+150℃
IPP041N12N3具备以下主要特性：
1. 极低的导通电阻，可显著降低传导损耗，提高整体系统效率。
2. 高速开关能力，适合高频电路设计，能够有效减少开关损耗。
3. 采用无铅封装工艺，符合RoHS环保标准。
4. 热性能优异，能够承受较高的功耗而不影响稳定性。
5. 栅极阈值电压适中，易于与逻辑电平兼容的控制器搭配使用。
6. 耐雪崩能力较强，能够在异常条件下保护电路免受损坏。
7. 封装小巧，便于布局和散热设计。
IPP041N12N3广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）中的主开关管或同步整流管。
2. DC-DC转换器，包括降压、升压及反激式拓扑结构。
3. 电机驱动电路，如小型直流电机控制。
4. 各类负载开关，用于动态调节供电路径。
5. 电池管理系统（BMS）中的保护开关。
6. 工业自动化设备中的功率级控制组件。
7. 消费类电子产品，例如适配器和充电器。
IPP044N12N3G, IPP048N12N3G
