类型：N沟道
　　最大漏源电压（Vds）：60V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　最大漏极电流（Id）：40A
　　导通电阻（Rds(on)）：14mΩ @ Vgs=10V
　　功率耗散（Ptot）：100W
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装形式：PG-TO220-3

IPP040N6的主要特性包括低导通电阻、高电流承载能力和优异的热稳定性。该器件的Rds(on)仅为14mΩ，能够显著降低导通损耗，提高系统效率。其100W的功率耗散能力使得在高负载条件下仍能保持稳定运行。此外，该MOSFET具有较高的栅极电荷（Qg），适用于高频率开关应用，同时具备良好的抗雪崩击穿能力，提高了器件的可靠性和耐用性。
　　该器件的封装形式为PG-TO220-3，具有良好的散热性能，适用于各种工业和汽车应用环境。IPP040N6还具备低热阻特性，确保在高温条件下也能保持良好的性能。其栅极驱动电压范围宽，通常在10V左右即可完全导通，适用于常见的MOSFET驱动电路。

IPP040N6广泛应用于多个领域，包括但不限于汽车电子系统、DC-DC转换器、电动工具、电机驱动器、电源管理系统以及工业自动化设备。在汽车应用中，它常用于电池管理系统、电动助力转向系统（EPS）和车载充电器等。在工业领域，该器件适用于高效率电源供应器、不间断电源（UPS）以及各种电机控制电路。由于其优异的导通性能和热管理能力，也常被用于需要高可靠性和高效率的嵌入式系统设计中。

IPD040N6, IPP042N6, IPP044N6