IPP023N04N 时间：2025/6/17 17:07:37 阅读：4

IPP023N04N是一款由Infineon（英飞凌）生产的N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的半导体制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点，非常适合用于开关电源、电机驱动、逆变器以及其他需要高效功率转换的应用场景。
　　这款MOSFET的封装形式为TO-263 (DPAK)，便于散热设计，同时提供了卓越的电气性能和可靠性。

参数

最大漏源电压：40V
　　连续漏极电流：18A
　　导通电阻：2.3mΩ
　　栅极电荷：59nC
　　开关时间：典型值ton=21ns，toff=20ns
　　工作结温范围：-55℃至+175℃

特性

IPP023N04N以其低导通电阻著称，这有助于减少功率损耗并提高效率。其高开关速度使其非常适合高频应用场合，同时它的高电流承载能力确保了在大功率应用中的稳定性。
　　此外，该器件具有良好的热稳定性和耐用性，能够在极端温度条件下保持可靠的性能。由于采用了优化的芯片设计，IPP023N04N能够有效降低电磁干扰（EMI），从而简化电路设计并提升整体系统性能。
　　其紧凑的TO-263封装不仅节省了印刷电路板空间，还具备出色的散热性能，使得它成为众多工业和消费类电子产品的理想选择。

应用

IPP023N04N广泛应用于各种领域，包括但不限于：
　　1. 开关模式电源（SMPS）
　　2. DC/DC转换器
　　3. 电机控制和驱动
　　4. 电池管理系统（BMS）
　　5. 工业自动化设备
　　6. 消费类电子产品中的功率管理模块
　　这些应用场景都得益于IPP023N04N的高效功率转换能力和稳定的运行表现。