IPP020N08N5 时间：2025/4/27 9:10:17 阅读：4

IPP020N08N5是一款由Infineon（英飞凌）生产的N沟道功率MOSFET。该器件采用TRENCHSTOP?技术制造，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于各种电源管理应用，例如DC-DC转换器、开关电源、电机驱动以及负载开关等。其封装形式为TO-Leadless (TOLL)，能够提供出色的热性能和电气性能。

参数

最大漏源电压(V_DS)：80V
　　连续漏极电流(I_D)：27A
　　导通电阻(R_DS(on))：1.6mΩ
　　栅极电荷(Q_g)：43nC
　　输入电容(C_iss)：1970pF
　　典型阈值电压(V_th)：2.3V
　　工作温度范围(T_j)：-55℃至175℃
　　封装：TO-Leadless (TOLL)

特性

IPP020N08N5采用了先进的TRENCHSTOP?技术，使其具备以下优点：
　　1. 极低的导通电阻（R_DS(on)），从而降低传导损耗并提高系统效率。
　　2. 快速的开关速度，有助于减少开关损耗，适合高频应用。
　　3. 高雪崩能力，增强了器件在异常情况下的耐用性。
　　4. 小型化封装设计，减少了PCB占用空间，并提高了散热性能。
　　5. 支持高达175℃的工作结温，适用于恶劣环境条件下的应用。

应用

IPP020N08N5广泛应用于需要高效能功率管理的场景中，包括但不限于以下领域：
　　1. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流。
　　2. DC-DC转换器的核心功率级元件。
　　3. 汽车电子中的电机驱动和负载切换。
　　4. 工业设备中的逆变器和变频器。
　　5. 笔记本电脑及平板充电器的功率管理部分。