时间：2025/8/28 17:39:54
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IPP016N08NF2S是一款由英飞凌（Infineon）公司生产的N沟道功率MOSFET，设计用于高效率、高功率密度的电源应用。该器件具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，适用于DC-DC转换器、电源管理和电机控制等多种应用。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：80V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：160A（在Tc=25°C）
导通电阻（Rds(on)）：最大6.2mΩ（在Vgs=10V）
功率耗散（Ptot）：160W
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：PG-TO263-3-1（表面贴装）
IPP016N08NF2S具备多项优异特性，首先其低导通电阻确保了在高电流下具有较小的功率损耗，从而提高了整体系统效率。该MOSFET采用先进的沟槽技术，提供了出色的开关性能，减少了开关损耗。此外，该器件具有较高的雪崩能量承受能力，增强了系统的鲁棒性。
其封装设计支持表面贴装工艺，提高了组装效率并减少了PCB空间占用。同时，该器件的热阻较低，有助于快速散热，延长使用寿命并提高可靠性。IPP016N08NF2S还具备良好的短路耐受能力，适用于高可靠性要求的应用场景。
由于其高功率密度和紧凑的封装，该MOSFET特别适合用于空间受限但需要高功率输出的设计。此外，该器件符合RoHS标准，符合现代环保要求。
IPP016N08NF2S广泛应用于各种高性能电源系统中，如服务器电源、电信设备电源、DC-DC转换器、电池管理系统、电机驱动器和工业自动化设备。其高电流处理能力和优异的热管理特性使其在高功率密度设计中表现出色。
IPP013N08NF2S, IPP019N08N3GXTMA1
