时间：2025/5/20 21:24:31
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IPLU300N04S4-R8是英飞凌（Infineon）推出的一款增强型N沟道功率MOSFET，采用TOLL封装形式。该器件专为高效率、高功率密度的应用场景设计，具有极低的导通电阻和优异的热性能。其典型应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动以及负载切换等。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：300A
导通电阻（Rds(on)）：1.6mΩ（典型值，Vgs=10V）
栅极电荷：250nC（典型值）
反向恢复时间：75ns（典型值）
结温范围：-55℃至+175℃
IPLU300N04S4-R8具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于降低传导损耗并提升系统效率。
2. 高电流处理能力，支持高达300A的连续漏极电流。
3. 优化的栅极电荷和反向恢复时间，能够有效减少开关损耗。
4. TOLL封装提供了出色的散热性能和紧凑的设计，便于在高功率密度应用场景中使用。
5. 工作结温范围宽广，适合各种严苛的工作环境。
6. 符合RoHS标准，环保且可靠性高。
该MOSFET适用于多种工业和消费类电子设备中的功率管理模块，具体应用包括：
1. 开关电源（Switch Mode Power Supplies, SMPS）
2. DC-DC转换器
3. 电动工具及家电中的电机驱动电路
4. 汽车电子系统中的负载切换
5. 大功率LED驱动器
6. 不间断电源（UPS）系统
