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IPL60R199CP 发布时间 时间:2025/5/7 23:15:54 查看 阅读:9

IPL60R199CP是一款由Infineon(英飞凌)生产的MOSFET功率晶体管,采用P-Channel技术。该器件主要应用于高效率的开关模式电源、DC-DC转换器以及电机驱动等场景。其优化的导通电阻和栅极电荷特性使其在高频开关应用中表现出色。
  IPL60R199CP基于先进的沟槽式MOSFET技术制造,能够提供低导通损耗和快速开关性能,从而提高了整体系统的效率和可靠性。同时,该器件具备较高的雪崩击穿能力和热稳定性,适用于严苛的工作环境。

参数

型号:IPL60R199CP
  类型:P-Channel MOSFET
  额定电压:60V
  额定电流:74A
  导通电阻(典型值):199mΩ
  栅极电荷(典型值):38nC
  开关频率:高达500kHz
  封装形式:D2PAK (TO-263)
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃

特性

IPL60R199CP具有以下显著特点:
  1. 极低的导通电阻,可减少传导损耗并提高系统效率。
  2. 快速开关能力,支持高频应用。
  3. 高雪崩能量能力,确保在异常条件下仍能可靠运行。
  4. 良好的热性能,适合高功率密度设计。
  5. 符合RoHS标准,环保无铅设计。
  6. 高电流承载能力,适用于大功率负载控制。
  这些特性使得IPL60R199CP成为各种高效功率转换和电机驱动应用的理想选择。

应用

IPL60R199CP广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流。
  2. 降压和升压型DC-DC转换器。
  3. 电动工具和家用电器中的电机驱动。
  4. 工业自动化设备中的负载开关。
  5. 电池管理系统中的保护电路。
  6. 汽车电子系统中的电源管理。
  由于其出色的电气特性和可靠性,IPL60R199CP非常适合需要高性能和高效率的电力电子应用。

替代型号

IPL60R173CP, IPL60R199N3, IRF6645

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IPL60R199CP参数

  • 数据列表IPL60R199CP
  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列CoolMOS™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)650V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C16.4A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C199 毫欧 @ 9.9A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3.5V @ 1.1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs32nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1520pF @ 100V
  • 功率 - 最大139W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳4-TSFN 裸露焊盘
  • 供应商设备封装PG-VSON-4
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称IPL60R199CPAUMA1SP000841892