您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > IPI110N20N3G

IPI110N20N3G 发布时间 时间:2025/7/22 19:20:27 查看 阅读:11

IPI110N20N3G 是一款由英飞凌科技(Infineon Technologies)生产的N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件专为高效率功率转换系统设计,具备低导通电阻、高电流承载能力和优异的热稳定性。IPI110N20N3G采用PG-HSOF-8封装,适用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动、电池管理系统(BMS)以及工业自动化等高要求的应用场景。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(VDS):200V
  漏极电流(ID):110A(在Tc=25℃时)
  导通电阻(RDS(on)):最大9.5mΩ(在VGS=10V时)
  栅极电荷(Qg):典型值为160nC
  工作温度范围:-55℃至150℃
  封装类型:PG-HSOF-8

特性

IPI110N20N3G功率MOSFET具有多项显著特性,适用于高功率密度和高效能转换系统。其主要特性包括:
  1. **低导通电阻**:IPI110N20N3G的RDS(on)最大值仅为9.5mΩ,这有助于降低导通损耗,提高能效。低RDS(on)特性在高电流应用中尤为重要,可以减少功率损耗并提高系统可靠性。
  2. **高电流承载能力**:该MOSFET在25℃时可承载高达110A的漏极电流,适用于需要大电流驱动的应用,如电机控制、电源转换和电池管理系统。
  3. **高耐压性能**:IPI110N20N3G具有200V的漏源电压额定值,使其适用于中高压功率转换系统,例如工业电源、光伏逆变器和电动汽车充电系统。
  4. **优化的封装设计**:该器件采用PG-HSOF-8封装,具有良好的热管理和电气性能,有助于提高散热效率并减少PCB空间占用。这种封装形式适用于自动化贴片组装工艺,提升了生产效率和系统稳定性。
  5. **低栅极电荷**:栅极电荷Qg的典型值为160nC,有助于降低开关损耗,提高开关频率,适用于高频开关电源和DC-DC转换器。
  6. **宽工作温度范围**:支持-55℃至150℃的工作温度范围,适用于各种恶劣环境下的工业和汽车应用。
  7. **高可靠性与长期稳定性**:英飞凌的MOSFET制造工艺确保了IPI110N20N3G在长期运行中的高可靠性和稳定性,减少了系统故障率,延长了设备的使用寿命。

应用

IPI110N20N3G广泛应用于多种高功率电子系统中,适用于以下主要领域:
  1. **电源管理系统**:如服务器电源、通信电源、UPS不间断电源等,用于实现高效的能量转换和管理。
  2. **DC-DC转换器**:在电动汽车、工业自动化和电信设备中,该MOSFET可用于升压(Boost)或降压(Buck)转换器,提高能量转换效率。
  3. **电机驱动系统**:适用于电动工具、工业电机控制和机器人驱动系统,提供高电流输出和快速开关性能。
  4. **电池管理系统(BMS)**:在电动汽车和储能系统中,用于电池充放电控制和保护电路,确保电池组的安全和高效运行。
  5. **逆变器和变频器**:适用于光伏逆变器、家电变频器以及工业变频控制系统,实现高效能的交流-直流和直流-交流转换。
  6. **负载开关和功率控制**:在高电流负载开关、热插拔电源管理和智能配电系统中,IPI110N20N3G能够提供快速响应和低损耗的功率控制。

替代型号

IPB110N20N3 G, IPU110N20N3 G, IPP110N20N3 G

IPI110N20N3G推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价