时间：2025/12/23 22:25:50
阅读：12
IPG20N04S4-12是一款基于沟槽栅极场效应技术的N沟道功率MOSFET，由英飞凌（Infineon）生产。该器件采用TO-252封装形式，具有低导通电阻和高效率的特点，适用于开关电源、DC-DC转换器、负载开关以及电机驱动等应用领域。
该型号中的参数解释如下：IPG表示产品系列，20代表漏极电流（ID）为20A，N表示N沟道，04表示最大漏源电压（VDS）为40V，S4表示第四代OptiMOS技术，12是内部版本或标识。
最大漏源电压（VDS）：40V
连续漏极电流（ID）：20A
导通电阻（RDS(on)）：3.8mΩ（典型值，在VGS=10V时）
栅极电荷（Qg）：29nC
输入电容（Ciss）：3160pF
总功耗（Ptot）：2.2W
工作温度范围：-55℃至+175℃
该芯片MOS技术，具备以下主要特性：
1. 极低的导通电阻，能够有效降低导通损耗，提高系统效率。
2. 出色的热性能和电气稳定性，适合高温环境下的应用。
3. 快速开关速度，减少开关损耗，提升动态性能。
4. 高雪崩能力，增强在异常条件下的可靠性。
5. 兼容标准逻辑电平驱动，简化电路设计。
6. 符合RoHS标准，环保无铅封装。
IPG20N04S4-12广泛应用于多种电力电子场景，包括但不限于：
1. 开关模式电源（SMPS）中的同步整流。
2. DC-DC转换器中的主开关或同步整流元件。
3. 电池管理系统中的负载开关和保护电路。
4. 小型电机驱动和逆变器控制。
5. 汽车电子设备中的电源管理模块。
其高性能和高可靠性使其成为工业、消费电子及汽车领域的理想选择。
IPB200N04S4-12
IPP20N04S4-12
IPW20N04S4-12
