类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：120A
　　最大漏-源电压（VDS）：200V
　　最大栅-源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：6.7mΩ
　　栅极电荷（Qg）：75nC
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装类型：PG-HSOF-8

IPF067N20NM6 是一款高性能的N沟道MOSFET，采用了英飞凌先进的沟槽技术，提供极低的导通电阻（RDS(on)）和出色的热性能，适用于高效率和高功率密度的设计需求。其导通电阻仅为6.7mΩ，可以显著降低导通损耗，提高系统效率。此外，该器件具有较高的电流处理能力，最大漏极电流达到120A，适用于大电流应用场景。IPF067N20NM6 还具备较高的耐压能力，最大漏-源电压为200V，适合用于中高压电源系统。该器件的栅极电荷较低（75nC），有助于提高开关速度并降低开关损耗，提高整体系统的响应速度和能效。IPF067N20NM6 采用PG-HSOF-8封装形式，具有较小的封装体积，便于在空间受限的设计中使用，同时也具备良好的散热性能，确保器件在高负载条件下稳定工作。该MOSFET的工作温度范围宽达-55°C至175°C，适应各种严苛的工作环境，尤其是在汽车电子、工业控制和能源管理系统中表现出色。另外，IPF067N20NM6 的栅-源电压容限为±20V，提供更强的栅极驱动兼容性和可靠性，确保在高动态工作条件下的稳定性。

IPF067N20NM6 主要应用于高效率电源管理系统，如DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器和电池管理系统。此外，它也广泛用于工业自动化设备、太阳能逆变器、电动汽车充电系统以及高性能计算设备中的电源模块。由于其优异的电气特性和热管理性能，IPF067N20NM6 在汽车电子领域（如车载充电器、电动助力转向系统等）中也具有广泛的应用前景。

IPW067N20NM6, IPF074N20N3, IPP074N20N3