时间：2025/9/4 1:04:33
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IPDQ60R010S7 是英飞凌（Infineon）推出的一款高性能功率MOSFET，采用先进的CoolMOS? S7技术。该器件设计用于高效率、高频率的电源转换应用，具备低导通电阻（Rds(on)）和优异的热性能，适用于服务器电源、通信电源、适配器、太阳能逆变器以及电动汽车充电系统等高要求场景。IPDQ60R010S7 通常采用TO-263（D2PAK）封装，支持表面贴装（SMD），便于散热和集成。
型号：IPDQ60R010S7
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：650V
漏极电流（Id）@25°C：140A
导通电阻（Rds(on)）@Vgs=10V：10mΩ
栅极电荷（Qg）@10V：190nC
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装形式：TO-263（D2PAK）
安装方式：表面贴装
IPDQ60R010S7 是一款基于CoolMOS? S7技术的高性能功率MOSFET，具备多项先进的技术特性，使其在高频、高效率电源转换系统中表现出色。首先，其导通电阻（Rds(on)）仅为10mΩ，显著降低了导通损耗，提升了整体能效。这使得该器件特别适用于需要高效率的电源拓扑结构，如LLC谐振变换器、PFC（功率因数校正）电路以及同步整流器等。
其次，该MOSFET支持高达140A的漏极电流（Id）@25°C，具备优异的电流承载能力。同时，其额定漏源电压为650V，适用于多种高压电源应用。这种电压和电流能力的结合，使得IPDQ60R010S7能够在高功率密度系统中稳定工作。
在动态性能方面，该器件的栅极电荷（Qg）为190nC @10V，相对较低的栅极电荷意味着更快的开关速度和更低的开关损耗，适合高频开关应用。同时，该MOSFET具有较低的输出电容（Coss）和反向恢复电荷（Qrr），有助于降低硬开关拓扑中的损耗并提升整体系统效率。
此外，IPDQ60R010S7 采用TO-263（D2PAK）封装，支持表面贴装工艺，便于自动化生产和良好的热管理。该封装具有良好的散热性能，能够有效地将热量传导至PCB板或外部散热器，从而保证器件在高负载条件下的稳定性。
这款MOSFET还具备良好的抗雪崩能力和高耐用性，适用于各种工业级和汽车级应用环境。其工作温度范围为-55°C至150°C，适应各种严苛的工作条件，确保在高温环境下仍能保持稳定性能。
IPDQ60R010S7 广泛应用于各种高效率电源系统中。其主要应用场景包括服务器电源、电信电源、高功率适配器、太阳能逆变器、电动车充电系统、工业电源模块以及高功率密度DC-DC转换器等。由于其低导通电阻、高电流能力和优异的热管理性能，该器件非常适合用于PFC（功率因数校正）电路、LLC谐振变换器、同步整流电路以及各种硬开关和软开关拓扑结构。此外，该MOSFET也适用于汽车电子系统中的功率转换模块，如车载充电器（OBC）和DC-DC转换器，满足汽车级可靠性要求。
IPW60R010S7, IPP60R010S7, IPDQ60R010CE, IPDQ60R010S7XTMA1
