IPD95R1K2P7ATMA1 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高效功率晶体管,属于 Infineon 的 CoolGaN 系列。该器件采用了增强型 GaN FET 结构,具有极低的导通电阻和快速开关特性,适用于高频、高效率的电源转换应用。它采用 PDFN5x6 封装形式,具有出色的散热性能和紧凑的设计。
这款功率晶体管广泛应用于 AC-DC 和 DC-DC 转换器、充电器、适配器以及工业电源等领域,能够显著提升系统效率并减小整体尺寸。
型号:IPD95R1K2P7ATMA1
导通电阻(Rds(on)):1.2 mΩ(典型值,25°C)
击穿电压(BVDSS):600 V
连续漏极电流(ID):95 A(@ 25°C)
栅极电荷(Qg))
反向恢复电荷(Qrr):几乎为零
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
封装形式:PDFN5x6
IPD95R1K2P7ATMA1 具有以下显著特性:
1. 极低的导通电阻,可有效降低传导损耗,提高系统效率。
2. 快速开关速度,支持高频操作,从而减少磁性元件的体积和重量。
3. 几乎无反向恢复电荷,进一步降低了开关损耗。
4. 高击穿电压确保了器件在高压环境下的可靠性。
5. 采用 PDFN5x6 封装,具备良好的散热性能和易于安装的特点。
6. 工作温度范围宽广,适合各种严苛的应用环境。
这些特性使 IPD95R1K2P7ATMA1 成为高性能电源应用的理想选择。
IPD95R1K2P7ATMA1 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源 (SMPS):
- 高效 AC-DC 转换器
- 数据中心电源
2. 充电器和适配器:
- 消费类快充设备
- 笔记本电脑适配器
3. 工业电源:
- 不间断电源 (UPS)
- 太阳能逆变器
4. 电机驱动:
- 高频逆变器
- 电动工具驱动
其高效能和高频操作能力使其成为这些应用中的关键组件。
IPD90R1K2P7ATMA1
IPD95R1K3P7ATMA1