时间：2025/4/28 16:40:50
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IPD90P04P4-05是一款高压功率MOSFET，专为高频开关应用而设计。该器件采用先进的沟槽式工艺制造，具备低导通电阻和高开关速度的特点。适用于多种电源管理场景，例如DC-DC转换器、电机驱动、LED照明等。其封装形式为TO-263（D2PAK），能够有效提升散热性能并支持大电流操作。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：4A
导通电阻：80mΩ
栅极电荷：17nC
开关速度：快速
结温范围：-55℃至150℃
IPD90P04P4-05具有以下关键特性：
1. 超低的导通电阻使得传导损耗显著降低，从而提高了整体效率。
2. 高速开关能力可以满足高频应用需求，减少磁性元件的体积。
3. 内置ESD保护电路，增强了器件的抗静电能力。
4. 热稳定性良好，在高温环境下依然保持优异性能。
5. 封装设计优化了热阻，提升了散热效果。
该MOSFET广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流和主开关。
2. DC-DC转换器中的高端或低端开关。
3. LED驱动电路中的负载开关。
4. 电池管理系统中的充放电控制。
5. 工业自动化设备中的电机驱动控制。
6. 消费类电子产品中的高效电源管理方案。
IRF9004PBF, AO3401A
