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IPD90N06S4-05 发布时间 时间:2025/6/22 0:44:17 查看 阅读:4

IPD90N06S4-05是一种基于MOSFET技术的功率器件,属于N沟道增强型场效应晶体管(N-Channel MOSFET)。该型号适用于中低电压应用领域,具有高电流承载能力和低导通电阻的特点。其设计旨在优化开关性能和导电效率,广泛应用于电源管理、电机驱动以及各类工业电子设备中。
  这款器件采用了先进的半导体制造工艺,在确保稳定性和可靠性的同时,能够有效降低功耗并提升整体系统效率。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:90A
  导通电阻(典型值):4mΩ
  栅极电荷:100nC
  开关速度:快速
  封装形式:TO-247

特性

IPD90N06S4-05具备以下几个显著特性:
  1. 高效的导通性能:得益于极低的导通电阻(Rds(on)),它可以在大电流条件下保持较低的功率损耗,从而提高系统的能效。
  2. 强大的电流处理能力:支持高达90A的连续漏极电流,使其非常适合需要大电流输出的应用场景。
  3. 快速开关性能:较小的栅极电荷使得该器件在高频工作环境下依然表现出色,减少了开关损耗。
  4. 耐热性能优越:采用标准TO-247封装,具备良好的散热特性,可适应较为苛刻的工作环境。
  5. 可靠性高:经过严格的测试与验证流程,确保了长期使用中的稳定性和一致性。

应用

该器件的主要应用场景包括但不限于以下方面:
  1. 开关电源(SMPS):用于DC-DC转换器或AC-DC适配器中,提供高效的功率转换。
  2. 电机驱动:适用于各种类型的电机控制电路,例如步进电机、无刷直流电机等。
  3. 工业自动化:在可编程逻辑控制器(PLC)、伺服系统等领域作为功率开关元件。
  4. 新能源领域:如太阳能逆变器、电动车充电设备等对功率效率要求较高的场合。
  5. 电池管理系统(BMS):用作保护开关或负载切换装置,保障电池组的安全运行。

替代型号

IRLB8748PBF
  STP90NE06-05
  FDP90N06L

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IPD90N06S4-05参数

  • 数据列表IPD90N06S4-05
  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列OptiMOS™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C90A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C5.1 毫欧 @ 90A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 60µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs81nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds6500pF @ 25V
  • 功率 - 最大107W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装PG-TO252-3
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称SP000481510