您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > IPD90N04S3-H4

IPD90N04S3-H4 发布时间 时间:2025/5/30 12:54:25 查看 阅读:9

IPD90N04S3-H4 是一款由英飞凌(Infineon)生产的N沟道功率MOSFET,采用TOLL封装。该器件具有极低的导通电阻和高开关速度,适用于需要高效能和高可靠性的应用场景。
  这款MOSFET的主要特点是其超低的导通电阻(Rds(on)),在典型工作条件下可以达到非常低的水平,从而减少了功率损耗并提高了整体效率。此外,它还具备出色的热性能和电气性能,能够承受较高的电流和电压波动。

参数

最大漏源电压:40V
  连续漏极电流:90A
  导通电阻(Rds(on)):1.5mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
  栅极电荷:67nC(典型值)
  输入电容:2020pF(典型值)
  总功耗:330W
  工作结温范围:-55℃至175℃
  封装类型:TOLL

特性

IPD90N04S3-H4 的主要特性包括:
  1. 超低导通电阻,有助于降低传导损耗并提高系统效率。
  2. 高电流处理能力,支持高达90A的连续漏极电流。
  3. 快速开关性能,减少开关损耗并适合高频应用。
  4. 紧凑型 TOLL 封装,提供优秀的散热性能和易于焊接的表面贴装设计。
  5. 高可靠性,能够在极端温度范围内稳定工作。
  6. 符合RoHS标准,环保无铅设计。
  7. 内置反向二极管,优化了续流性能。

应用

IPD90N04S3-H4 广泛应用于以下领域:
  1. 电动车辆(EV)和混合动力车辆(HEV)中的电机控制器。
  2. 工业自动化设备中的直流/直流转换器。
  3. 太阳能逆变器和储能系统的功率转换模块。
  4. 不间断电源(UPS)和其他高效率电源管理解决方案。
  5. 通用开关和负载控制电路。
  6. 各种工业驱动和家电变频控制应用。

替代型号

IPB90N04S3-LG, IRFH7338TRPbF, FDP16N65L

IPD90N04S3-H4推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

IPD90N04S3-H4资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

IPD90N04S3-H4参数

  • 数据列表IPD90N04S3-H4
  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列OptiMOS™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)40V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C90A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C4.3 毫欧 @ 90A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 65µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs60nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds3900pF @ 25V
  • 功率 - 最大115W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装PG-TO252-3
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称SP000415584