IPD90N04S3-H4 是一款由英飞凌(Infineon)生产的N沟道功率MOSFET,采用TOLL封装。该器件具有极低的导通电阻和高开关速度,适用于需要高效能和高可靠性的应用场景。
这款MOSFET的主要特点是其超低的导通电阻(Rds(on)),在典型工作条件下可以达到非常低的水平,从而减少了功率损耗并提高了整体效率。此外,它还具备出色的热性能和电气性能,能够承受较高的电流和电压波动。
最大漏源电压:40V
连续漏极电流:90A
导通电阻(Rds(on)):1.5mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
栅极电荷:67nC(典型值)
输入电容:2020pF(典型值)
总功耗:330W
工作结温范围:-55℃至175℃
封装类型:TOLL
IPD90N04S3-H4 的主要特性包括:
1. 超低导通电阻,有助于降低传导损耗并提高系统效率。
2. 高电流处理能力,支持高达90A的连续漏极电流。
3. 快速开关性能,减少开关损耗并适合高频应用。
4. 紧凑型 TOLL 封装,提供优秀的散热性能和易于焊接的表面贴装设计。
5. 高可靠性,能够在极端温度范围内稳定工作。
6. 符合RoHS标准,环保无铅设计。
7. 内置反向二极管,优化了续流性能。
IPD90N04S3-H4 广泛应用于以下领域:
1. 电动车辆(EV)和混合动力车辆(HEV)中的电机控制器。
2. 工业自动化设备中的直流/直流转换器。
3. 太阳能逆变器和储能系统的功率转换模块。
4. 不间断电源(UPS)和其他高效率电源管理解决方案。
5. 通用开关和负载控制电路。
6. 各种工业驱动和家电变频控制应用。
IPB90N04S3-LG, IRFH7338TRPbF, FDP16N65L