时间：2025/5/30 12:54:25
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IPD90N04S3-H4 是一款由英飞凌（Infineon）生产的N沟道功率MOSFET，采用TOLL封装。该器件具有极低的导通电阻和高开关速度，适用于需要高效能和高可靠性的应用场景。
这款MOSFET的主要特点是其超低的导通电阻（Rds(on)），在典型工作条件下可以达到非常低的水平，从而减少了功率损耗并提高了整体效率。此外，它还具备出色的热性能和电气性能，能够承受较高的电流和电压波动。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：90A
导通电阻（Rds(on)）：1.5mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
栅极电荷：67nC（典型值）
输入电容：2020pF（典型值）
总功耗：330W
工作结温范围：-55℃至175℃
封装类型：TOLL
IPD90N04S3-H4 的主要特性包括：
1. 超低导通电阻，有助于降低传导损耗并提高系统效率。
2. 高电流处理能力，支持高达90A的连续漏极电流。
3. 快速开关性能，减少开关损耗并适合高频应用。
4. 紧凑型 TOLL 封装，提供优秀的散热性能和易于焊接的表面贴装设计。
5. 高可靠性，能够在极端温度范围内稳定工作。
6. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
7. 内置反向二极管，优化了续流性能。
IPD90N04S3-H4 广泛应用于以下领域：
1. 电动车辆（EV）和混合动力车辆（HEV）中的电机控制器。
2. 工业自动化设备中的直流/直流转换器。
3. 太阳能逆变器和储能系统的功率转换模块。
4. 不间断电源（UPS）和其他高效率电源管理解决方案。
5. 通用开关和负载控制电路。
6. 各种工业驱动和家电变频控制应用。
IPB90N04S3-LG, IRFH7338TRPbF, FDP16N65L
