时间：2025/4/27 17:18:00
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IPD90N03S4L-03 是一款高性能的 N 沃特 (N-Channel) 场效应晶体管 (MOSFET)，采用先进的半导体制造工艺，专为低电压应用设计。该器件具有超低导通电阻和快速开关速度的特点，非常适合用于高效能电源管理、DC-DC 转换器、负载开关以及电池管理系统等场景。
这款 MOSFET 的封装形式为 SOT227B，能够提供出色的散热性能，同时其极低的导通电阻有助于减少功率损耗，提高整体系统效率。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：90A
导通电阻（典型值）：2.8mΩ
栅极电荷：15nC
输入电容：3500pF
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
封装类型：SOT227B
IPD90N03S4L-03 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），在典型条件下仅为 2.8mΩ，显著降低导通损耗。
2. 快速开关能力，支持高频应用。
3. 高电流处理能力，额定连续漏极电流高达 90A。
4. 具备强大的抗雪崩能力，可有效保护电路免受瞬态电压的影响。
5. 封装形式紧凑，具备良好的热性能，适用于高密度设计。
6. 工作温度范围宽广，适应各种恶劣环境下的应用需求。
该型号广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的功率级控制。
2. DC-DC 转换器的核心功率开关元件。
3. 电机驱动电路中的功率切换。
4. 电池管理系统中的负载开关和保护功能。
5. 各类工业设备中的功率调节与控制。
6. 汽车电子系统中的大电流切换任务。
由于其优异的性能，IPD90N03S4L-03 成为许多需要高效能功率管理解决方案的理想选择。
IPW90N03S4L-03
IXFN90N03S4L-03
