时间：2025/4/28 18:20:30
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IPD80R450P7是一款由Infineon（英飞凌）推出的MOSFET功率半导体器件，属于P沟道增强型MOSFET。该器件采用TO-263封装形式，广泛应用于开关电源、负载切换、DC-DC转换器以及电池管理等场景。其低导通电阻和高电流处理能力使其成为高效功率转换的理想选择。
IPD80R450P7的额定电压为450V，能够承受较高的漏源极电压，适合高压应用环境。同时，它的导通电阻较小，在降低功耗方面表现出色。
最大漏源电压：450V
连续漏极电流：80A
导通电阻（典型值）：0.045Ω
栅极电荷（Qg）：19nC
总电容（Ciss）：2840pF
漏源极饱和电压（Vds）：450V
工作温度范围：-55℃ 至 175℃
封装形式：TO-263
IPD80R450P7具有以下显著特性：
1. 高耐压能力：450V的最大漏源电压确保了其在高压条件下的可靠性。
2. 大电流处理能力：支持高达80A的连续漏极电流，适用于高功率应用。
3. 低导通电阻：典型值为0.045Ω，降低了传导损耗，提高了效率。
4. 快速开关性能：小的栅极电荷（19nC）使其具备快速开关速度，减少了开关损耗。
5. 宽工作温度范围：能够在-55℃至175℃范围内稳定运行，适应极端环境。
6. 封装可靠：采用TO-263封装，散热性能良好且易于安装。
IPD80R450P7适用于多种电力电子应用领域：
1. 开关电源（SMPS）：作为主开关管或同步整流管使用。
2. DC-DC转换器：实现高效的直流电压转换。
3. 电机驱动：用于控制和驱动各类电机。
4. 电池管理系统：提供过流保护、充电控制等功能。
5. 负载切换：在汽车电子和其他工业应用中实现负载的快速切换。
6. 工业自动化设备：例如逆变器、不间断电源（UPS）等需要高效功率转换的应用。
IPW80R450C7
IPP80R450P7
IRFP460
