时间：2025/5/7 22:15:47
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IPD80R280P7 是一款基于沟槽场效应晶体管技术的 N 沟道功率 MOSFET，采用 TO-252 (DPAK) 封装形式。该器件适用于开关电源、DC-DC 转换器、负载开关以及电机驱动等应用领域。其低导通电阻和快速开关性能使其成为高效能功率转换的理想选择。
该器件具有出色的热特性和电气特性，能够支持高效率和高可靠性的系统设计。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：8.0A
导通电阻（典型值）：280mΩ
栅极电荷：9nC
输入电容：1460pF
工作温度范围：-55℃ to +150℃
IPD80R280P7 具有以下主要特性：
1. 采用先进的沟槽型 MOSFET 技术，提供低导通电阻以减少传导损耗。
2. 快速开关能力，适合高频开关应用。
3. 高雪崩能量能力，增强了器件的鲁棒性。
4. 提供紧凑的 TO-252 (DPAK) 封装，便于表面贴装工艺。
5. 符合 RoHS 标准，环保友好。
6. 内置保护二极管，提升系统可靠性。
这些特点使得 IPD80R280P7 在各种电力电子应用中表现出色，特别是在需要高效率和小尺寸解决方案的情况下。
IPD80R280P7 主要应用于以下领域：
1. 开关模式电源 (SMPS)，包括 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
2. 电池管理及保护电路。
3. 各类电机驱动控制。
4. 固态继电器与负载切换。
5. 通信设备中的电源管理。
由于其高效的功率转换能力和紧凑的封装形式，IPD80R280P7 在消费电子、工业自动化和汽车电子等领域都有广泛的应用前景。
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