时间：2025/6/4 18:22:08
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IPD78CN10N G 是一款高性能的 N 沟道增强型 MOSFET 芯片，广泛应用于开关电源、电机驱动、负载开关等场景。该芯片采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和高效率的特点，能够有效降低功耗并提升系统性能。
该器件支持表面贴装封装，便于自动化生产，并具备出色的热稳定性和可靠性，适合在各种严苛的工作环境下使用。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(VDS)：30V
最大栅源电压(VGS)：±20V
连续漏极电流(ID)：10A
导通电阻(RDS(on))：1.5mΩ（典型值，VGS=10V）
栅极电荷(Qg)：29nC
开关速度：快速开关
工作温度范围(TJ)：-55℃至+175℃
IPD78CN10N G 的主要特性包括以下几点：
1. 极低的导通电阻 (RDS(on))，能够显著减少传导损耗，提升系统效率。
2. 快速开关能力，适合高频应用场合，例如 DC-DC 转换器和开关电源。
3. 高额定电流和耐压能力，确保在大功率场景下的稳定性。
4. 出色的热性能设计，有助于散热管理，延长使用寿命。
5. 提供过温保护和静电防护功能，进一步增强了器件的可靠性。
6. 符合 RoHS 标准，绿色环保。
IPD78CN10N G 可应用于多个领域：
1. 开关电源和 DC-DC 转换器中的功率开关。
2. 工业设备中的电机控制和驱动电路。
3. 汽车电子系统中的负载开关和继电器替代方案。
4. 家用电器和消费电子产品的功率管理模块。
5. 太阳能逆变器和其他新能源相关设备中的功率转换组件。
IPD78CN08N G, IPB018N06N G
