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IPD78CN10N G 发布时间 时间:2025/6/4 18:22:08 查看 阅读:5

IPD78CN10N G 是一款高性能的 N 沟道增强型 MOSFET 芯片,广泛应用于开关电源、电机驱动、负载开关等场景。该芯片采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和高效率的特点,能够有效降低功耗并提升系统性能。
  该器件支持表面贴装封装,便于自动化生产,并具备出色的热稳定性和可靠性,适合在各种严苛的工作环境下使用。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  最大漏源电压(VDS):30V
  最大栅源电压(VGS):±20V
  连续漏极电流(ID):10A
  导通电阻(RDS(on)):1.5mΩ(典型值,VGS=10V)
  栅极电荷(Qg):29nC
  开关速度:快速开关
  工作温度范围(TJ):-55℃至+175℃

特性

IPD78CN10N G 的主要特性包括以下几点:
  1. 极低的导通电阻 (RDS(on)),能够显著减少传导损耗,提升系统效率。
  2. 快速开关能力,适合高频应用场合,例如 DC-DC 转换器和开关电源。
  3. 高额定电流和耐压能力,确保在大功率场景下的稳定性。
  4. 出色的热性能设计,有助于散热管理,延长使用寿命。
  5. 提供过温保护和静电防护功能,进一步增强了器件的可靠性。
  6. 符合 RoHS 标准,绿色环保。

应用

IPD78CN10N G 可应用于多个领域:
  1. 开关电源和 DC-DC 转换器中的功率开关。
  2. 工业设备中的电机控制和驱动电路。
  3. 汽车电子系统中的负载开关和继电器替代方案。
  4. 家用电器和消费电子产品的功率管理模块。
  5. 太阳能逆变器和其他新能源相关设备中的功率转换组件。

替代型号

IPD78CN08N G, IPB018N06N G

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IPD78CN10N G参数

  • 数据列表IPx(78,80)CN10N G
  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列OptiMOS™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C13A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C78 毫欧 @ 13A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 12µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs11nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds716pF @ 50V
  • 功率 - 最大31W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装PG-TO252-3
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称SP000096460