时间：2025/4/30 10:52:26
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IPD75N04S4-06 是一款基于硅技术的 N 沣 IGBT（绝缘栅双极晶体管）器件，专为高频开关应用设计。该型号具有低导通损耗和开关损耗的特点，适合于高效率功率转换场景。其额定电压为 450V，额定电流为 75A，封装形式为 TO-247-3，广泛应用于工业电机驱动、太阳能逆变器以及不间断电源（UPS）等系统。
IGBT 的核心优势在于结合了 MOSFET 的高输入阻抗特性和双极晶体管的低导通压降特点，使其在高频和大功率应用场景中表现出色。
集电极-发射极击穿电压：450V
连续集电极电流：75A
最大功耗：350W
总存储结温范围：-55℃ 到 175℃
栅极阈值电压：4V
导通饱和压降（Vce(sat)）：1.8V
开关频率：高达 20kHz
封装类型：TO-247-3
1. 高效的开关性能，确保低导通和开关损耗，从而提升整体系统效率。
2. 稳定的工作温度范围，适用于恶劣环境下的长期运行。
3. 内置快速恢复二极管（FRD），进一步降低开关损耗并优化动态性能。
4. 较高的短路耐受能力，增强了器件的可靠性和安全性。
5. 封装采用标准 TO-247-3，便于安装和散热设计。
1. 工业变频器与伺服驱动器中的功率模块。
2. 太阳能光伏逆变器的核心功率开关元件。
3. 不间断电源（UPS）系统的高效功率转换电路。
4. 电动汽车及混合动力汽车中的 DC/DC 和 DC/AC 转换器。
5. 焊接设备及其他需要高频功率控制的场合。
FGH75N04MD2
STGW75HC04D
CoolMOS CFD7 IGBT系列
