IPD70R360P7S 时间：2025/4/30 11:42:05 阅读：5

IPD70R360P7S 是一款基于 Trench MOSFET 技术的 N 沟道功率场效应晶体管（Power MOSFET），广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器等高效率功率转换场景。该器件采用 TO-252 封装形式，具有低导通电阻和快速开关特性，能够在高频工作条件下保持高效性能。
　　其主要特点包括优化的 RDS(on) 和 Qg 参数组合，有助于减少传导损耗和开关损耗，同时支持较高的连续漏极电流能力，确保在多种应用中表现出色。

参数

最大漏源电压：60V
　　最大连续漏极电流：41A
　　导通电阻：360mΩ
　　栅极电荷：8.5nC
　　总功耗：19W
　　工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
　　封装类型：TO-252

特性

IPD70R360P7S 具备以下关键特性：
　　1. 极低的导通电阻（RDS(on)），能够有效降低功率损耗。
　　2. 快速开关速度，适合高频应用环境。
　　3. 高电流处理能力，可满足大功率负载需求。
　　4. 紧凑型 TO-252 封装设计，便于 PCB 布局和散热管理。
　　5. 宽泛的工作温度范围，适应各种严苛使用条件。
　　6. 优异的雪崩能力和 ESD 性能，增强了系统可靠性。
　　此外，该器件还具有较低的输入和输出电容，进一步降低了开关损耗并提高了整体效率。

应用

IPD70R360P7S 广泛适用于以下领域：
　　1. 开关模式电源（SMPS）中的同步整流电路。
　　2. 电动工具及家用电器的电机驱动控制。
　　3. 工业自动化设备中的 DC-DC 转换模块。
　　4. 电池管理系统（BMS）中的充放电保护电路。
　　5. 各类 LED 驱动器和逆变器设计。
　　由于其出色的电气性能和热稳定性，这款 MOSFET 在需要高效率和高可靠性的场合尤为适用。