您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > IPD70P04P4L08ATMA2

IPD70P04P4L08ATMA2 发布时间 时间:2025/6/4 2:06:59 查看 阅读:9

IPD70P04P4L08ATMA2是一款N沟道功率MOSFET,采用先进的半导体制造工艺设计。该器件具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能等特点,适用于各种高效能功率转换和电机驱动应用。其封装形式为TO-263(D2PAK),有助于提升散热效率和系统可靠性。
  该MOSFET的额定电压为40V,适合在中等电压的应用场景下工作,例如DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统(BMS)以及电信和工业设备中的功率管理模块。

参数

最大漏源电压:40V
  连续漏极电流:70A
  导通电阻:4.5mΩ
  栅极电荷:31nC
  开关速度:快速
  结温范围:-55℃至175℃
  封装形式:TO-263

特性

IPD70P04P4L08ATMA2具备以下显著特点:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可以有效降低传导损耗,提高整体效率。
  2. 高电流处理能力,支持高达70A的连续漏极电流,确保在大电流应用中的稳定运行。
  3. 快速开关性能,得益于较低的栅极电荷(Qg),可减少开关损耗并提升高频应用的表现。
  4. 良好的热性能,结合TO-263封装的高散热能力,能够承受更高的结温,增强系统的可靠性和寿命。
  5. 宽广的工作温度范围,适应多种严苛环境下的应用需求。
  6. 符合RoHS标准,环保且满足现代电子产品的法规要求。

应用

该功率MOSFET广泛应用于以下几个领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的功率转换和控制。
  2. 电动工具及家用电器的电机驱动电路。
  3. 电信设备中的负载开关和保护电路。
  4. 新能源汽车和储能系统的电池管理与保护。
  5. 工业自动化设备中的功率调节和分配。
  6. 各类高效能DC-DC转换器和逆变器的设计。

替代型号

IPD90P04P4L08ATMA1, IRFZ44N, FDP15U20AE

IPD70P04P4L08ATMA2推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

IPD70P04P4L08ATMA2参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1 : ¥13.83000剪切带(CT)2,500 : ¥6.32189卷带(TR)
  • 系列OptiMOS?-P2
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型P 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)40 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)70A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)7.8 毫欧 @ 70A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.2V @ 120μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)92 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)+5V,-16V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)5430 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)75W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装PG-TO252-3-313
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63