IPD70P04P4L08ATMA2是一款N沟道功率MOSFET,采用先进的半导体制造工艺设计。该器件具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能等特点,适用于各种高效能功率转换和电机驱动应用。其封装形式为TO-263(D2PAK),有助于提升散热效率和系统可靠性。
该MOSFET的额定电压为40V,适合在中等电压的应用场景下工作,例如DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统(BMS)以及电信和工业设备中的功率管理模块。
最大漏源电压:40V
连续漏极电流:70A
导通电阻:4.5mΩ
栅极电荷:31nC
开关速度:快速
结温范围:-55℃至175℃
封装形式:TO-263
IPD70P04P4L08ATMA2具备以下显著特点:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可以有效降低传导损耗,提高整体效率。
2. 高电流处理能力,支持高达70A的连续漏极电流,确保在大电流应用中的稳定运行。
3. 快速开关性能,得益于较低的栅极电荷(Qg),可减少开关损耗并提升高频应用的表现。
4. 良好的热性能,结合TO-263封装的高散热能力,能够承受更高的结温,增强系统的可靠性和寿命。
5. 宽广的工作温度范围,适应多种严苛环境下的应用需求。
6. 符合RoHS标准,环保且满足现代电子产品的法规要求。
该功率MOSFET广泛应用于以下几个领域:
1. 开关电源(SMPS)中的功率转换和控制。
2. 电动工具及家用电器的电机驱动电路。
3. 电信设备中的负载开关和保护电路。
4. 新能源汽车和储能系统的电池管理与保护。
5. 工业自动化设备中的功率调节和分配。
6. 各类高效能DC-DC转换器和逆变器的设计。
IPD90P04P4L08ATMA1, IRFZ44N, FDP15U20AE