IPD70P04P4-09 时间：2025/5/24 15:03:35 阅读：13

IPD70P04P4-09是一款高性能的MOSFET功率晶体管，专为需要高效率和低导通电阻的应用而设计。该器件采用先进的制程技术，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，适合用于电源管理、电机驱动以及DC-DC转换等场景。
　　这款MOSFET属于P沟道类型，封装形式为TO-252（DPAK），具备出色的散热性能和紧凑的设计，使其非常适合空间受限的应用环境。

参数

型号：IPD70P04P4-09
　　类型：P沟道MOSFET
　　最大漏源电压(V_DS)：40V
　　最大栅源电压(V_GS)：±8V
　　连续漏极电流(I_D)：70A
　　导通电阻(R_DS(on))：3.5mΩ（典型值，@ V_GS=-4.5V）
　　总栅极电荷(Q_g)：16nC（典型值）
　　开关时间：开启时间(t_on)=29ns，关断时间(t_off)=17ns
　　工作结温范围(T_j)：-55℃至+175℃

特性

IPD70P04P4-09的核心特性包括：
　　1. 极低的导通电阻（R_DS(on)），可显著降低功耗并提高系统效率。
　　2. 高额定电流能力，能够支持高达70A的连续漏极电流。
　　3. 快速开关性能，有助于减少开关损耗，并适应高频应用需求。
　　4. 小型化的TO-252封装，便于在有限的空间内实现高效布局。
　　5. 强大的热稳定性，能够在较宽的温度范围内可靠运行。
　　6. 具备良好的静电防护能力，增强器件的耐用性。

应用

该MOSFET广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源(SMPS)中的同步整流功能。
　　2. DC-DC转换器，特别是在降压或升压电路中作为主开关元件。
　　3. 电池管理系统(BMS)，用作负载开关或保护开关。
　　4. 电机驱动电路中的功率级控制。
　　5. 工业自动化设备中的功率切换。
　　6. 汽车电子系统中的负载切换与保护功能。