时间：2025/7/12 1:16:50
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IPD70N10S3-12 是一款基于硅技术的 N 沒道功率场效应晶体管（MOSFET），适用于高频开关应用和电源管理场景。该器件采用了先进的沟槽式结构设计，能够提供较低的导通电阻和快速的开关性能。
这款 MOSFET 具有高电流处理能力和良好的热性能，适合用于 DC-DC 转换器、电机驱动、电池保护以及负载切换等应用场景。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：70A
导通电阻：1.5mΩ
栅极电荷：48nC
开关速度：超快
封装类型：D2PAK-7
IPD70N10S3-12 提供了卓越的效率和可靠性，其低导通电阻可以显著降低传导损耗，从而提高整体系统的能效。
该器件具有非常低的栅极电荷和输出电荷，确保在高频工作时减少开关损耗。
此外，它的热增强型 D2PAK-7 封装有助于优化散热性能，使器件能够在严苛的工作条件下保持稳定运行。
它还具备短路保护功能，能够在异常情况下避免永久性损坏。综合来看，这款 MOSFET 在性能、可靠性和易用性方面达到了良好的平衡。
DC-DC 转换器
电机驱动
电池保护
负载切换
逆变器
不间断电源（UPS）
工业自动化设备
IPB070N10S3-12
IRF7739TRPBF
STP70NF10L
FDP16N10
