时间：2025/4/28 16:27:53
阅读：2
IPD70N03S4L-04 是一款高性能的 N 沱功率 MOSFET，采用 SuperSO8 封装形式。该器件具有低导通电阻和快速开关特性，适用于高效率、高频开关应用场合。其设计优化了热性能和电气性能，广泛用于 DC-DC 转换器、同步整流、负载开关以及电机驱动等场景。
该型号属于 Infineon（英飞凌）推出的 OptiMOS 系列，以高可靠性、耐用性和卓越的能效著称。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：70A
导通电阻（典型值）：4mΩ
栅极电荷：19nC
输入电容：2540pF
反向恢复时间：26ns
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
1. 极低的导通电阻，有效降低传导损耗，提高系统效率。
2. 快速开关能力，适合高频应用，减少开关损耗。
3. 高雪崩能力和强鲁棒性，确保在恶劣条件下可靠运行。
4. 出色的热性能，封装支持高效散热。
5. 符合 RoHS 标准，绿色环保。
6. 内置 ESD 保护，增强器件抗静电能力。
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流。
2. DC-DC 转换器及降压电路。
3. 电机控制和驱动。
4. 负载开关和电池管理。
5. 工业自动化和汽车电子中的功率控制。
6. 其他需要高效功率转换的应用场景。
IPB70N03S4L-04, IPW70N03S4L-04
