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IPD65R1K4CFDATMA1 发布时间 时间:2025/9/3 21:52:18 查看 阅读:7

IPD65R1K4CFDATMA1是一款由英飞凌(Infineon)生产的功率MOSFET器件,主要用于高效率开关电源、DC-DC转换器以及功率因数校正(PFC)电路等应用。该器件基于CoolMOS?技术,具有较低的导通电阻(Rds(on))和优异的开关性能,能够显著减少系统损耗并提高整体效率。该MOSFET采用先进的封装技术,具备良好的热管理和可靠性,适用于工业、汽车和消费类电子设备中的高功率密度设计。

参数

类型:功率MOSFET
  漏源电压(VDS):650V
  漏极电流(ID):14A(在25°C)
  导通电阻(Rds(on)):1.4Ω(最大)
  栅极电荷(Qg):26nC(典型)
  封装类型:TO-252(DPAK)
  工作温度范围:-55°C至150°C
  技术:CoolMOS?

特性

IPD65R1K4CFDATMA1具有多项显著的性能优势。首先,其导通电阻低至1.4Ω,有助于降低导通损耗,提高系统效率。其次,该器件采用英飞凌的CoolMOS?技术,具备优异的开关性能,使得在高频工作条件下仍能保持较低的开关损耗,适用于高频率开关应用。
  此外,该MOSFET的栅极电荷(Qg)仅为26nC,降低了驱动电路的负担,有助于简化驱动电路设计并提高整体系统的响应速度。器件的封装采用TO-252(DPAK),具备良好的散热性能,可在高功率应用中保持稳定的热性能,同时支持表面贴装(SMD),适用于自动化生产流程。
  IPD65R1K4CFDATMA1还具备高雪崩耐受能力,增强了器件在异常工作条件下的可靠性。其宽泛的工作温度范围(-55°C至150°C)使其适用于各种严苛环境下的应用,包括工业控制、电动汽车和可再生能源系统等。

应用

IPD65R1K4CFDATMA1广泛应用于多种高功率电子系统中。它常见于开关电源(SMPS)中,用于高效能的AC-DC和DC-DC转换。此外,该器件也适用于功率因数校正(PFC)电路,以提高电源系统的功率因数并减少谐波失真。在电动车领域,它可用于车载充电器、DC-DC转换器以及电池管理系统中的功率控制单元。
  由于其出色的性能和可靠性,IPD65R1K4CFDATMA1也常用于太阳能逆变器、UPS不间断电源、工业自动化设备和智能电网系统等应用场景。其表面贴装封装形式使其适用于自动化生产和紧凑型设计,满足现代电子产品对高功率密度和小型化的需求。

替代型号

IPD65R1K4CFD IPD65R1K4C5 DATMA1

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IPD65R1K4CFDATMA1参数

  • 现有数量0现货
  • 价格2,500 : ¥4.39642卷带(TR)
  • 系列CoolMOS?
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态最后售卖
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)650 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)2.8A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)1.4 欧姆 @ 1A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4.5V @ 100μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)10 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)262 pF @ 100 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)28.4W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装PG-TO252-3
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63