时间：2025/9/3 21:52:18
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IPD65R1K4CFDATMA1是一款由英飞凌（Infineon）生产的功率MOSFET器件，主要用于高效率开关电源、DC-DC转换器以及功率因数校正（PFC）电路等应用。该器件基于CoolMOS?技术，具有较低的导通电阻（Rds(on)）和优异的开关性能，能够显著减少系统损耗并提高整体效率。该MOSFET采用先进的封装技术，具备良好的热管理和可靠性，适用于工业、汽车和消费类电子设备中的高功率密度设计。
类型：功率MOSFET
漏源电压（VDS）：650V
漏极电流（ID）：14A（在25°C）
导通电阻（Rds(on)）：1.4Ω（最大）
栅极电荷（Qg）：26nC（典型）
封装类型：TO-252（DPAK）
工作温度范围：-55°C至150°C
技术：CoolMOS?
IPD65R1K4CFDATMA1具有多项显著的性能优势。首先，其导通电阻低至1.4Ω，有助于降低导通损耗，提高系统效率。其次，该器件采用英飞凌的CoolMOS?技术，具备优异的开关性能，使得在高频工作条件下仍能保持较低的开关损耗，适用于高频率开关应用。
此外，该MOSFET的栅极电荷（Qg）仅为26nC，降低了驱动电路的负担，有助于简化驱动电路设计并提高整体系统的响应速度。器件的封装采用TO-252（DPAK），具备良好的散热性能，可在高功率应用中保持稳定的热性能，同时支持表面贴装（SMD），适用于自动化生产流程。
IPD65R1K4CFDATMA1还具备高雪崩耐受能力，增强了器件在异常工作条件下的可靠性。其宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C）使其适用于各种严苛环境下的应用，包括工业控制、电动汽车和可再生能源系统等。
IPD65R1K4CFDATMA1广泛应用于多种高功率电子系统中。它常见于开关电源（SMPS）中，用于高效能的AC-DC和DC-DC转换。此外，该器件也适用于功率因数校正（PFC）电路，以提高电源系统的功率因数并减少谐波失真。在电动车领域，它可用于车载充电器、DC-DC转换器以及电池管理系统中的功率控制单元。
由于其出色的性能和可靠性，IPD65R1K4CFDATMA1也常用于太阳能逆变器、UPS不间断电源、工业自动化设备和智能电网系统等应用场景。其表面贴装封装形式使其适用于自动化生产和紧凑型设计，满足现代电子产品对高功率密度和小型化的需求。
IPD65R1K4CFD IPD65R1K4C5 DATMA1
