IPD65R1K4CFDATMA1是一款由英飞凌(Infineon)生产的功率MOSFET器件,主要用于高效率开关电源、DC-DC转换器以及功率因数校正(PFC)电路等应用。该器件基于CoolMOS?技术,具有较低的导通电阻(Rds(on))和优异的开关性能,能够显著减少系统损耗并提高整体效率。该MOSFET采用先进的封装技术,具备良好的热管理和可靠性,适用于工业、汽车和消费类电子设备中的高功率密度设计。
类型:功率MOSFET
漏源电压(VDS):650V
漏极电流(ID):14A(在25°C)
导通电阻(Rds(on)):1.4Ω(最大)
栅极电荷(Qg):26nC(典型)
封装类型:TO-252(DPAK)
工作温度范围:-55°C至150°C
技术:CoolMOS?
IPD65R1K4CFDATMA1具有多项显著的性能优势。首先,其导通电阻低至1.4Ω,有助于降低导通损耗,提高系统效率。其次,该器件采用英飞凌的CoolMOS?技术,具备优异的开关性能,使得在高频工作条件下仍能保持较低的开关损耗,适用于高频率开关应用。
此外,该MOSFET的栅极电荷(Qg)仅为26nC,降低了驱动电路的负担,有助于简化驱动电路设计并提高整体系统的响应速度。器件的封装采用TO-252(DPAK),具备良好的散热性能,可在高功率应用中保持稳定的热性能,同时支持表面贴装(SMD),适用于自动化生产流程。
IPD65R1K4CFDATMA1还具备高雪崩耐受能力,增强了器件在异常工作条件下的可靠性。其宽泛的工作温度范围(-55°C至150°C)使其适用于各种严苛环境下的应用,包括工业控制、电动汽车和可再生能源系统等。
IPD65R1K4CFDATMA1广泛应用于多种高功率电子系统中。它常见于开关电源(SMPS)中,用于高效能的AC-DC和DC-DC转换。此外,该器件也适用于功率因数校正(PFC)电路,以提高电源系统的功率因数并减少谐波失真。在电动车领域,它可用于车载充电器、DC-DC转换器以及电池管理系统中的功率控制单元。
由于其出色的性能和可靠性,IPD65R1K4CFDATMA1也常用于太阳能逆变器、UPS不间断电源、工业自动化设备和智能电网系统等应用场景。其表面贴装封装形式使其适用于自动化生产和紧凑型设计,满足现代电子产品对高功率密度和小型化的需求。
IPD65R1K4CFD IPD65R1K4C5 DATMA1