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IPD640N06L 发布时间 时间:2025/7/4 4:21:45 查看 阅读:4

IPD640N06L是一款由Infineon(英飞凌)生产的MOSFET功率晶体管,采用TRENCHSTOP技术制造。该器件具有低导通电阻和快速开关特性,非常适合用于高频开关应用中,例如DC-DC转换器、电机驱动和电源管理等场景。此型号属于OptiMOS系列,旨在提供高效率和可靠性。

参数

类型:NMOS
  电压等级:60V
  连续漏极电流:-40A
  导通电阻(Rds(on)):1.2mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
  栅极电荷:29nC(典型值)
  反向恢复时间:35ns(典型值)
  封装形式:TO-247-3

特性

IPD640N06L具有非常低的导通电阻,能够有效减少传导损耗,从而提高系统的整体效率。
  其快速开关能力使得它在高频应用中表现出色,同时具备良好的热稳定性和抗雪崩能力。
  此外,由于采用了先进的TRENCHSTOP技术,该器件能够在高温环境下保持出色的性能,并且具有较低的电磁干扰(EMI)。
  这款MOSFET还支持脉冲电流高达180A,进一步增强了其在大功率应用中的适用性。

应用

IPD640N06L广泛应用于各种功率电子领域,包括但不限于:
  1. 工业设备中的高效DC-DC转换器设计。
  2. 电动车辆及混合动力汽车中的电机控制模块。
  3. 电信基础设施中的开关电源解决方案。
  4. 太阳能逆变器以及其他可再生能源发电系统。
  5. 高性能计算机和服务器的负载点(POL)转换器。
  凭借其卓越的电气性能和可靠性,IPD640N06L成为了众多高要求应用的理想选择。

替代型号

IPW100N06S, IRFZ44N

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