IPD60R800CE 时间：2025/6/24 7:25:03 阅读：5

IPD60R800CE 是一款由 Infineon（英飞凌）生产的功率 MOSFET，属于 OptiMOS 系列。这款芯片采用 N 沟道技术，专为高效率、高功率密度的应用场景设计。它适用于开关电源、电机驱动器、DC-DC 转换器以及太阳能逆变器等应用领域。该器件具有低导通电阻和快速开关特性，从而有效减少能量损耗并提升系统效率。

参数

型号：IPD60R800CE
　　类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压 (VDS)：800 V
　　连续漏极电流 (ID)：60 A
　　导通电阻 (RDS(on))：80 mΩ
　　栅极电荷 (Qg)：75 nC
　　总开关能量 (Eoss)：315 μJ
　　功耗：取决于工作条件
　　封装形式：TO-247-3

特性

IPD60R800CE 的主要特性包括其具备的高耐压能力，可以承受高达 800V 的漏源电压，同时保持较低的导通电阻以减少传导损耗。
　　此外，其快速开关性能显著降低了开关损耗，并提升了整体能效。
　　该产品还具备优异的热稳定性和可靠性，能够适应恶劣的工作环境。得益于优化的封装设计，其散热性能也十分出色，适合长时间运行于高温环境下。
　　在动态性能方面，IPD60R800CE 的栅极电荷较小，有助于加快开关速度，同时减少电磁干扰问题的发生。
　　最后，它的安全工作区域 (SOA) 较宽，确保在各种负载条件下都能稳定运行。

应用

IPD60R800CE 广泛应用于需要高压大电流处理能力的电力电子设备中。具体应用包括但不限于以下：
　　1. 开关模式电源（SMPS），如服务器和通信电源；
　　2. 工业电机驱动器，用于调节电机速度和方向；
　　3. 新能源领域中的光伏逆变器和储能系统；
　　4. DC-DC 转换器，特别是在电动汽车充电站或电池管理系统中；
　　5. 高频变压器驱动器，例如 LED 驱动电路；
　　6. 固态继电器和其他工业控制装置。