时间：2025/6/18 8:49:24
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IPD60R1K0CE是英飞凌（Infineon）推出的增强型P沟道功率MOSFET，采用TRENCHSTOP?技术制造，具有低导通电阻和高效率的特点。该器件适用于各种开关电源、负载切换以及DC-DC转换器等应用中，其出色的性能使得它成为高效能电子设备的理想选择。
这款MOSFET的封装形式为TO-Lead (I2PAK)，具备较大的散热面积，有助于提高系统的热性能。此外，IPD60R1K0CE的工作电压高达30V，能够满足大多数低压应用的需求。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：180A
导通电阻：0.5mΩ
栅极电荷：74nC
工作温度范围：-55℃至+175℃
IPD60R1K0CE采用了先进的TRENCHSTOP?技术，大幅降低了导通电阻，从而减少了导通损耗并提升了整体效率。同时，其高电流处理能力使其适合于大功率应用环境。
此外，该MOSFET的快速开关性能可减少开关损耗，并且其耐热增强型封装设计确保了在高功率密度情况下的可靠运行。
IPD60R1K0CE还具备优异的抗雪崩能力和鲁棒性，能够在恶劣环境下稳定工作。其超低导通电阻配合优化的热管理设计，非常适合用于工业级或汽车级的大电流开关场景。
IPD60R1K0CE广泛应用于多种领域，包括但不限于以下方面：
1. 高功率密度DC-DC转换器
2. 服务器及通信电源中的负载切换
3. 工业电机驱动电路
4. 太阳能逆变器及储能系统
5. 电动汽车电池管理系统（BMS）
由于其出色的电气特性和热性能，IPD60R1K0CE成为了众多高性能电力电子系统的关键元件。
IPD60R1K9CE, IPD60R1K6CE
