时间：2025/3/27 14:38:02
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IPD60R180P7S 是一款由 Infineon（英飞凌）推出的功率 MOSFET，属于 OptiMOS 系列。该器件采用 TRENCHSTOP? 技术，具有出色的开关特性和导通特性，适用于高频、高效能的电源转换应用。其封装形式为 TO-252 (DPAK)，适合表面贴装工艺。
该型号中的 IPD 表示工业功率器件系列，60R 表示典型导通电阻约为 60mΩ（在特定条件下），180 表示最大漏源电压 VDS 为 180V，P7 表示封装类型，S 则表示是无卤素环保产品。
最大漏源电压 VDS：180V
最大连续漏极电流 ID：39A
典型导通电阻 RDS(on)：60mΩ（在 VGS = 10V 时）
栅极电荷 QG：34nC
反向恢复时间 trr：45ns
工作结温范围：-55°C 至 +175°C
封装：TO-252 (DPAK)
1. 采用先进的 TRENCHSTOP? 技术，优化了导通电阻和开关损耗之间的平衡。
2. 高效率和高可靠性设计，非常适合高频开关应用。
3. 具有低栅极电荷和快速开关速度，可显著降低开关损耗。
4. 反向恢复时间短，有助于减少电磁干扰 (EMI) 和提高系统效率。
5. 支持表面贴装工艺，便于自动化生产和小型化设计。
6. 符合 RoHS 标准，环保且无卤素。
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器
2. 电机驱动和逆变器
3. 电信和服务器电源
4. 太阳能微型逆变器
5. LED 照明驱动器
6. 消费类电子产品中的适配器和充电器
IPD60R190P7S
BSC062N18NS3
IRL6632TRPBF
